大功率发光二极管的寿命实验及其失效分析.pdfVIP

《半导体光电》2005 年 4 月第 26 卷第 2 期 郑代顺 等 : 　大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析 光电器件 大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析 1 1 1 ,2 郑代顺 , 钱可元 , 罗 　毅 ( 1. 清华大学 深圳研究生院 半导体照明实验室, 广东 深圳 518055 ; 2 . 清华大学 电子工程系 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100084) 摘 　要 : 　以 GaN 基蓝光 L ED 芯片为基础光源制备了大功率蓝光 L ED ,并通过荧光粉转换 的方法制备了白光 L ED 。对大功率蓝光和 白光 L ED 进行了寿命试验 ,并对其失效机理进行了分 析 。结果表明,大功率 L ED 的光输出随时间的衰减呈指数规律 ,缺陷的生长和无辐射复合中心的 形成 ,荧光粉量子效率的降低 ,静电的冲击 , 电极性能不稳定 , 以及封