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第 31 卷 第6 期 天 津 工 业 大 学 学 报 Vol.31 No.6
圆园12 年12 月 韵哉砸晕粤蕴 韵云 栽陨粤晕 陨晕 孕韵蕴再栽耘悦匀晕陨悦 哉晕陨灾耘砸杂陨栽再 December 2012
ITO 表面微元粗化对GaN 基LED 光效的改善
1，3，4 2，3，4 1，3，4
少娇 ，牛萍娟 ，邢海英
， ，
1. 天津工业大学电子与信息工程学院 天津 300387 ；2. 天津工业大学电气工程与自动化学院 天津 300387 ；
，
3. 天津工业大学半导体照明工程研发中心 天津 300387 ；4. 天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工
，
程研究中心 天津 300387）
： ，采用
摘 要 对定量分析LED 表面粗化尺寸及其形状对出光效率的影响这一难题 Lighttools 软件，利用蒙特卡
，
洛光线追迹方法 模拟仿真了传统LED 以及4 种不同表面粗化微元结构LED 的出光效率和光场分布. 模
拟结果显示，LED 的粗化在最佳尺寸下可以将LED 的发光效率提高到70% ，该结果对提高GaN 基LED 的
发光效率具有一定的参考价值和指导意义.
关键词：外量子效率；发光效率；表面粗化；微元结构
中图分类号：TM923.01 文献标志码：A 文章编号： 远苑 原园圆源载 圆园12）园6原园园64原园4
Improvement of light efficiency of GaN-based LED with ITO
surface micro structure roughness
SUN Shao-jiao1，3，4 ，NIU Ping-juan2，3，4 ，XING Hai-ying1，3，4
1. School of Information and Communication Engineering ，Tianji n Polytechnic University ，Tianj in 300387 ，China ；2.
School of Electrical Engineering and Automation ，Tianji n Polytechnic University ，Tianji n 300387 ，China ；3.Engineering
Research Center of Solid State Lighting ，Tianji n Polytechnic University ，Tianji n 300387 ，China ；4. Engineering Research
Center of High Power Solid State Lighting Application System ，Tianji n Polytechnic University ，Tianji n 300387 ，China）
Abstract ：Aiming at the problem of analyzing quantitatively the effect of the size an
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