不同衬底上Ba0．4Sr0．6TiO3铁电薄膜的制备及外延生长的研究.pdfVIP

第 17卷第6期 功能材料与器件学报 Vo1．17．No．6 2011年 12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Dec．，2011 文章编号：1007—4252(2011)06—0569—04 不 同衬底上 Ba0Sro ． 4 ． 6 TiO 铁 电薄膜的制备及外延生长的研究 唐艳艳 ，高守宝 ，尚杰 ，张辉 (1．潍坊学院物理与电子科学学院，潍坊 261061； 2．山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014； 3．昆明理工大学光电子新材料研究所，昆明650093) 摘要：利用脉冲激光沉积(PLD)技术，通过一系列实验成功地制备出了近外延生长的Ba。SrnTiO 铁 电薄膜。研究 了衬底对 Ba叫Sr TiO，铁 电薄膜外延质量的影响。从摇摆 曲线的半高 宽 (FWHM)及原子力显微镜(AFM)图谱中可以看出，在铝酸锶钽镧(LAST)衬底上生长的薄膜．外延 质量明显比失配度更小的钛酸锶(STO)衬底上生长的要好，并不是传统认为的晶格失配度越小越 好，分析其原因主要是因为小的失配不利于应力的释放造成的。 关键词：衬底；Ba Sr0TiO。铁电薄膜；脉冲激光沉积；外延生长；X射线衍射；原子力显微镜 中图分类号：0484 文献标识码 ：A FabricationofBao Sro TiO3FerroelectricFilmsonDifferent ． 4 ． 6 SubstratesandResearchonEpitaxialGrowth TANG Yan—yan ，GAOShou．bao ，SHANGJie，ZHANG Hui (1．CollegeofPhysicsandElectronicScientific，WeifangUniversity，Weifang261061，China； 2．CollegeofPhysicsandElectronicScientific，ShandongNormalUniversity，Jinan250014，China； 3．InstituteofAdvancedMaterialsforPhoto—electronics，KunmingUniversity ofScienceandTechnology，Kunming650051，China；) Abstract：Usingpulselaserdeposition (PLD)technology，Ba04Sr06TiO3ferroelectricfilmsofapproxi- matelyepitaxialgrowthwerefabricatedthroughaseriesofexperiments．Effectsofsubstratesonthequali- tyofepitaxiallygrownBao4Sr06TiO3ferroelectricfilmswereresearched．Thoughthemismatchbetween strontiumtitanatesubstrate(STO)andBa0．4Sr0．6TiO3ferroelectricfilmwasthesmallest，yetthefullwave athalfmaximum (FWHM)ofrockingcurvesandatomicforcemicroscope(AEM)imagesindicatethat thequalityofepitaxiallygrownBao4Sr06TiO3ferroelectricfilmsonlanthanu