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第 25 卷 第 6 期 稀 土 V o l25,N o 6
2004 年 12 月 Ch inese R are Earth s D ecem ber 2004
共沉淀法合成 2- 2 3 复合纳米晶的研究
CeO A l O
1 1 1 1 1 2
宋晓岚 , 吴雪兰 , 王海波 , 曲 鹏 , 邱冠周 , 曲选辉
( 1 中南大学 资源加工与生物工程学院, 湖南 长沙 410083;
2 北京科技大学 材料科学与工程学院, 北京 100083)
摘 要: 以 ( ) ·9 和 ( ) ·6 为原料, 氨水为 值调节剂, 并加入少量表面活性剂
A l NO H O Ce NO H O pH
3 3 2 3 3 2
4000, 采用化学共沉淀法制备了前驱体, 前驱体经高温热处理得到含 25% (质量分数) 的 -
PEG CeO 2 CeO 2 A l2O 3
复合纳米晶。通过正交试验, 获得了共沉淀的优化条件: 值为 9～ 10, 反应温度约 30 ℃, 反应时间为 20 , 表面
pH m in
( )
活性剂用量为 0 44% 质量分数 , 前驱体热处理温度 800℃为宜。使用 、 、 、 、纯度及化学成分
T G D TA XRD BET IR
分析等方法对 - 复合纳米晶的性能进行了表征。
CeO A l O
2 2 3
关键词: - ; 复合纳米晶; 共沉淀法; 性能表征
CeO A l O
2 2 3
中图分类号: O 61433; T G739 文献标识码:A 文章编号:(2004)
随着计算机等行业飞速的发展, 对集成电路的 速率高、选择性好的特点。 2 3 技术正成为一
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