PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响.pdfVIP

第33卷第2期 南昌大学学报 (理科版) VoI．33No．2 2009年4月 JournalofNanchangUniversity(NaturalScience) Apr．2009 文章编号：1006—0464(2009)02—0164—04 PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响 于 鹏 ，赵 勇”，马 力 ，盛广沪 ，赖珍荃 ，唐建成 (南昌大学a．理学院；b．材料科学与工程学院，江西 南昌 330031) 摘 要：采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积 (pulsedfiheredcathodicvacuumarcdeposition，PFCVAD)系统，以si(100) 单晶片为衬底，在衬底温度300℃、氧气压力4．0×10I2Pa的条件下制备出了C轴择优取向的ZnO薄膜。通过原 子力显微镜(AFM)和x射线衍射 (XRD)技术对ZnO薄膜的表征 ，研究了靶负压对 ZnO薄膜结构和应变的影响。 研究结果表明，不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在 16．7—39．0nm之间，靶负压对薄膜表面结构影响 较