AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响3.pdfVIP

　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ar A lA s 选择性湿氮氧化的工艺条件 对氧化速率的影响 张　益　潘　钟　杜　云　黄永箴　吴荣汉 ( 中国科学院半导体研究所　国家光电子工艺中心　北京　100083) 摘要　 结合垂直腔面发射激光器的制备, 详细研究了A lA s 选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、 氮气流量、水温等条件和A lA s 薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响, 给出 了合理的定性解释, 并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件. 在优化的工艺条件 下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In GaA s 垂直腔面发射激光器. PACC: 8160C , 4255P; 　EEACC: 2550E 1　引言 因为在约 400～ 500 ℃温度下的湿氮氧化对A lA s 和高A l 组分的A lGaA s 具有很强的 选择性, 而且形成的氧化层性能稳定, 电绝缘性好, 折射率低, 非常适合于电流限制和光学限 制, 所以这种氧化工艺在 族半导体器件制备及光电集成中有着广阔的应用前景, 目前 已用于 量子阱激光器、垂直腔面发射激光器( ) 以及 基 A lGaA s GaA s In GaA s V C SEL GaA s [ 1～ 4 ] M O SF E T 等器件制备的研究中 . 近来最为引人注 目的是湿氮氧化在V C SEL 研制中的 应用. 由于V C SEL 具有许多独特 的优点, 在光通信、光互连等领域极有应用前景[ 5, 6 ]. V C SEL 制备的一个难点是形成理想的电流注入限制, 而湿氮氧化可以方便地在V C SEL 中 [7～ 10 ] 形成良好的电流及光学限制层, 从而使V C SEL 的器件性能取得了突破性进展 . 因此湿 氮氧化已成为 目前V C SEL 及其列阵研制中应用最为广泛的工艺之一. 对 x 1- x 的选择性湿氮氧化工艺, 人们较多地研究了氧化过程的动力学问题和氧 A l Ga A s [ 11～ 15 ] 化产物的成分、微观结构以及界面情况等 . 为了在器件制备中精确控制氧化过程, 保证 其均匀性和重复性, 对氧化速率的控制就显得尤为重要. 影响氧化速率的因素很多, 比如材 料中 组分的多少、 层的厚度和结构、氧化时间的长短以及所采用的工艺条件等. 由 A l A lA s 于对湿氮氧化的研究目前尚不成熟, 许多问题都有待进一步深入分析. 为了在V C SEL 的器件制备中得到理想的A lA s 湿氮氧化结果, 我们详细研究了氧化炉 　 国家自然科学基金和 支持项 目