不同陶瓷颗粒增强Cu基复合材料的制备及导电性能.pdfVIP

1064 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 不同陶瓷颗粒增强Cu 基复合材料的制备及导电性能* ∗ 1,2 1 刘德宝 ，崔春翔 （1. 河北工业大学 材料学院，天津 300293 ；2. 天津理工学院 材料学院，天津 300191 ） 摘 要：以纯铜为基体，以 WC 、AlN 、TiN 、MgB2 含量较低，析出强化作用有限，而且合金元素的加入 等具有不同导电性能与密度的陶瓷颗粒为增强相，采 也会很大程度地影响导电率。而通过引入适当增强相 用球磨-冷压-烧结工艺制备了 WC /Cu 、AlN /Cu 、 的复合强化方式既能同时发挥基体及强化材料的协同 p p TiN /Cu 和 MgB /Cu 系列复合材料。研究了制备工 作用，又具有很大的设计自由度。同时导电理论指出 p 2p 艺的不同环节对铜基复合材料导电性能的影响，讨论 “固溶在铜基体中的原子引起的铜原子点阵畸变对电 了不同陶瓷颗粒增强铜基复合材料的导电性能。结果 子的散射作用较第二相引起的散射作用要强得多”[2] ， 表明：相同制备工艺及体积分数条件下，以具有不同 因此弥散复合强化不会明显降低铜基体的导电性，所 导电性能与密度的陶瓷颗粒作为增强相的铜基复合 以如何在保证强度的前提下，提高弥散强化铜基复合 材料的导电性能相近，球磨、冷压、烧结、复压及复 材料的导电性能，是材料科学工作者面临的重要课 烧等工艺环节对铜基复合材料导电性能有不同程度 题。本文以WC 、AlN 、TiN 、MgB2 等具有不同导电 的影响，提高铜基复合材料的致密度为提高其导电性 性能与密度的陶瓷颗粒为增强相，采用粉末冶金工艺 能的关键。 制备了WC /Cu 、AlN /Cu 、TiN /Cu和MgB /Cu 系列 p p p 2p 关键词：铜基复合材料；制备工艺；导电性能 复合材料，研究了不同增强颗粒、制备工艺的不同环 中图分类号：TG135.6 文献标识码：A 节对铜基复合材料导电性能的影响。 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1064-04 2 实 验 1 引 言 实验所用材料的物理机械性能如表 1 所示，表中 高强度、高导电铜合金材料在集成电路引线框 MgB2 为采用Mg 粉和B 粉混匀压制后，在自制的密 架、高速电气化铁路架空线及汽车和彩管行业中电阻 封反应釜中800℃真空烧结4h 后再球磨为粒径1~3 μm 焊电极等领域有着广泛的应用前景[1] 。然而高强度的 左右的颗粒，经 XRD 检测表明所合成的 MgB2 纯度 获得往往伴随着导电