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InSb 磁电阻特性研究磁电阻特性研究 磁磁电阻特性研究电阻特性研究 磁阻效应（Magnetoresistance Effects ）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场 中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子 将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减 少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻 （MR ）。磁阻效应是 1857 年由英国 物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR ）、庞磁阻（CMR ）、 穿隧磁阻（TMR ）、直冲磁阻（BMR ）和异常磁阻（EMR ）。目前，磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS 导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛 应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。其中最典型的锑化铟（InSb ）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁阻器件磁 电阻，有着十分重要的应用价值。 硬盘中的巨磁阻效应 汽车中的磁阻传感器 利用各向异性磁阻效应的角度传感器 【实验目的】 1、掌握磁感应强度的测量方法； 2、了解磁电阻的一些基本知识； 3、测量和分析InSb材料磁电阻特性； 【实验内容】 1、测定磁感应强度和磁电阻大小的对应关系，绘制关系曲线。 励磁电流在 0 到 600mA 之间，每隔 30mA 测一点。测量时，要先测 InSb 磁电阻元件的电压（U ）和工作电流（I ），而且，对于每个励磁电流，都应 2 2 保持U （800mV）基本恒定，以及GaAs霍尔元件与InSb磁电阻元件在磁极间的位置基本相同。 2 2、研究InSb磁电阻在磁感应强度和磁电阻变化的关系曲线，分段（B0.1T、B0.14T）进行曲线拟合。 MR-1型磁电阻效应测量装置 磁电阻与外场的关系