Y2O3掺杂对BaZrxTi1-xO3陶瓷介电性能的影响.pdfVIP

第34卷第l 期 湖北大学学报( 自然科学版) V01．34 No ．1 20 12年3月 J our nal of Hube i Uni ver s i t y( Nat ur al Sci enc e) Mar ．，20 12 文章编号 ：10 00一2 375( 2 012) l 一0 045一03 Y2 03掺 杂 对 BaZr xTi l 一 x03陶 瓷 介 电 性 能 的 影 响 黄丽丽 ，陈威，曹万强 ( 湖北大学材料科学与工程学院，湖北武汉430062) 摘要研究BaZbTi l 一，03( z=0。 ．1， ．2，o ．3) 陶瓷中掺杂o．1％( 按物质 的量计算 ，下 同) Y2 03对铁 电 一顺 电相变温度的影响．发现o ．1 ％Y2( ) 3 的掺杂使BaTi ( ) 3的铁 电一顺电相变的居里温度 向高温偏移了约2 0 ℃，不同Zr 含量 的样品也发生了一定程度的高温偏移．在一40℃到140 ℃的测量温度范围内介电频率弥散 现象极弱，峰值介电常数可 以达到8 ooo，损耗峰值为o ．0 5以下．随z r 含量的增加 ，损耗峰快速移 向低温 ．与 文献报道 的结果比较，证 实Y以A位替代Ba 为主． 关键词BaZbTi 卜，Q铁电陶瓷；介电常数；居里温度 中图分类号TM22+3 文献标志码 A BaTi 03基无铅 陶瓷具有高介电常数、低介电损耗、低污染和较 高的温度稳定性，可用于制做小型大 容量的陶瓷电容器，其产品已经广泛地应用在电子信息、自动控制和通讯等领域．目前，在小型和多功能 化方面主要存在两个问题．一是铁电压 电性能大幅提高后，居里温度接近室温，导致使用过程中容易因 温度升高而失效．因此，提高居里温度是应用的关键．铅掺杂的BaTi 。基陶瓷能够以9℃ ／l ％( 按物质 的量计算，下同) 的速率升高居里温度，而其他改性添加剂基本上均导致居里温度下降．二是相变峰的介 电常数较高，而相变温度以下的介电常数较低．BaZoTi 卜，03( BZT) 基弛豫铁电材料由于能将介电峰在 室温范嗣展 宽，具有较高的介电常数和较好的介电温度稳定性，且能够通过调控锆钛比来控制铁电相变 温度 ，得到极大地发展 ．各种等价及异价元素替代能够进一步改善BZT材料 的介 电性能．前期研究了 0 ．1％Nb20s 掺入BaZr 0 ．。。Ti 。．。。03 陶瓷，将介电常数提高到1．5×104 ，温度稳定性也有明显改善L1| ．考 虑到Nbz( ) 5是B位替代Ti 的改性方法，且Nb 和Y元素对BZT来说都是软性添加剂．因此，本文中在 此基础上，尝试在A位用Yz 03替代Ba元素 ，研究改性后 的介 电效果．前期经验发现 ，掺入o．1％的 Y2 03，会 出现较为明显 的效果，因而重点探讨了Zr ／Ti 比例对BZT基弛豫铁电材料居里温度的移动 、介 电性能、损耗和弛豫性能的影响 ． 1 实验 采用传统的固相反应法[ 2] 制备0 ．1％Y2 03一Ba Zr ，Ti ，一，( ) 3( z一0，o ．1，o ．2 ，o ．3) ．将配料装入球磨罐， 以去离子水为介质球磨，使原料混合均匀 ，细化粉料 ．用去离子水洗 出粉料，并烘干，在l 100℃预烧2 h ，再 次球磨烘干后，压制成直径约为11 mm，厚度约为1I 2 mm的圆片．在1 290 ℃下烧结2 h ，制成样品． 制备的样品进行XRD测试，测试范围10 。～80 。．每个样 品两个表面分别镀银后，用HP4 192精密阻 抗分析仪在一40～140℃的温度范围内测试了介电常数 ￡’和介电损耗t an拭 2实验结果与讨论 2． 1 xRD分析图1为Y—BZT陶瓷样品的XRD图谱 ．通过对比发现，随着Zr ／Ti 比例的增加，样品 ( 011) 晶面衍射峰向低角度发生 了微小的偏移，导致其变化的原因是：Y3+和Zr 4+离子半径都大于Ti 4+ 收稿日期：20l o一12—13 基金项 目：功能材料绿色制备与应用教育部酉点实验室和湖北省自然科学基金( 2009(