氮气含量对反应射频磁控溅射制备CrN_x薄膜组织与性能的影响.pdfVIP

第26卷 第 12期 重 庆 理 工 大 学 学报(自然科学) 2012年 12月 V01．26 No．12 JournalofChongqingUniversityofTechnology(NaturalScience) Dec．2012 doi：10．3969／j．issn．1674—8425(z)．2012．12．005 氮气含量对反应射频磁控溅射制备 CrN 薄膜组织与性能的影响 陈 勇，李 晖，许洪斌，王 松 (重庆理工大学 材料科学与工程学院，重庆 400054) 摘 要：采用反应射频磁控溅射法在40Cr基体上制备CrN 薄膜，研究了不同氮气含量对 薄膜组织形貌、粗糙度、沉积厚度以及纳米硬度和弹性模量的影响。结果表明：采用反应射频磁 控溅射法在不同氮气含量下，可制备得到厚度均匀、表面质量好的CrN 薄膜；随着氮气含量的 增加，薄膜的表面光洁度先逐渐增大，氮气含量为20％时光洁度值最大为0．024Ixm，之后光洁 度缓慢下降；薄膜的沉积厚度也随着氮气含量的增加而先增大后减小，氮气含量分别为20％和 50％，薄膜厚度出现最大值8．7 m和最小值2．1Ixm；随着氮气含量的变化，当含量为20％时纳 米硬度最大值为30．9GPa，弹性模量为422．6GPa。 关 键 词：反应射频磁控溅射；CrN 薄膜；氮气含量；纳米硬度；弹性模量 中图分类号：TG174．453 文献标识码：A 文章编号：1674—8425(2012)12—0021-05 ReactiveRFMagnetronSputteringCrN Films CHEN Yong，LIHui，XU Hong—bin，WANG Song (SchoolofMaterialsScienceandEngineering， ChongqingUniversityofTechnology，Chongqing400054，China) Abstract：CrN filmsweredepositedon40Crsteelwithvaryingnitrogencontent，usingreactiveRF (radiorfequency)magnetronsputtering．Thestructuretopography，roughnessandthickness，aswell asnano．hardness，Young’Smoduluswereinvestigated．ResuhsshowedthatCrN filmspreparedby reactiveRFmagnetron sputteringin differentnitrogencontentofuniform thicknessand smoothsur- face．Theroughnessofthefilm increasedgraduallywithincreasingnitrogen，themaximum roughness being0．024 x／m withthenitrogencontentof20％ ，andtheroughnessdescendedslowlywithincreas。 ingnitrogen．Thethicknessoffilmsincreasedandthendescendedwith therangeofnitrogencontent from 0％ to50％ ．theMaximum andMinimum thicknessbeing8．7Ixm and2．1Ixm，respectively． 收稿 日期 2012—．09——07 基金项 目 国家 自然科学基金资助项 目；重庆市 自然科学基金资助项目(CSTC2012jiB70002) 作者简介 陈勇(1986一)，男，四川隆昌人 ，硕士研究生 ，主要从事表面工程方面的研究；通讯作者 李晖(1972一)， 男，博士，副教授，硕士生导师，主要从事表面工程和机械设计方