用1／f噪声表征VDMOS器件的抗辐照性能.pdfVIP

维普资讯 技术专栏 TechnologyColumn 用 1／，噪声表征 VDMOS器件的抗辐照性能 王党会 ，许天旱 ，谢端2，王党朝 (1．西安石油大学 材料科学与工程学院，西安 710065；2．西安邮电学院，西安 710061； 3．成阳师范学院，陕西 成阳，712000) 摘要 ：介绍了用于航空航天DC／DC转换器中的VDMOS器件和电离辐照前后低频 1／f噪声的 变化。研究了电离辐照情况下VDMOS器件的阈值 电压漂移、跨导的退化对 1／f噪声幅值、7值 的影响。结合实验，比较器件 1／f噪声幅值和y值在辐照前后 的变化 ，对其抗辐照性能做表征研 究。对~DMOS器件在辐照