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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
December Acta Phys. -Chim. Sin . 2011, 27 (12), 2821-2825 2821
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHX
超声搅拌化学浴沉积法制备大颗粒和致密的CdS 薄膜
史成武1,2,* 陈 柱1,2 史高杨1,2 孙人杰1
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( 合肥工业大学化学工程学院, 合肥230009; 中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室, 合肥230031)
摘要: 采用超声搅拌化学浴法(UCBD)在SnO :F 透明导电玻璃衬底上制备了CdS 薄膜. 研究了退火和CdCl
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处理对UCBD-CdS 薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响, 比较了沉积时间对UCBD-CdS 薄膜中CdS
聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响. 结果表明, CdCl 处理可使CdS 聚集体中的小颗粒重新熔合在一起, 但
2
CdS 聚集体的大小并没有改变. 在UCBD-CdS 薄膜的沉积过程中, CdS 薄膜的横向和纵向生长速率之比会随
着沉积时间的不同而改变, 且沉积时间是获得大颗粒的CdS 聚集体和致密的UCBD-CdS 薄膜的重要影响因
素. 当沉积时间为40 min 时, 获得的UCBD-CdS 薄膜较致密, CdS 聚集体的大小为180 nm, 膜厚为80.8 nm,
适合作为薄膜太阳电池的窗口层.
关键词: CdS 薄膜; 超声搅拌; 化学浴沉积; 沉积时间; 退火; CdCl 处理
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中图分类号: O646; TM914.4+2
Preparation of Large Grain and Dense CdS Thin Films Using Ultrasonic
Agitation Chemical Bath Deposition
SHI Cheng-Wu1,2,* CHEN Zhu1,2 SHI Gao-Yang1,2 SUN Ren-Jie1
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( School of Chemical Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China; Key Laboratory of Novel Thin
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