活性钎焊法连接碳化硅陶瓷的连接强度和微观结构Journalof.pdfVIP

第２４卷 第２期 无 机 材 料 学 报 Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．２ ２００９年３月 　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ 　Ｍａｒ．，２００９ 文章编号：１０００３２４Ｘ（２００９）０２０２９７０４ ＤＯＩ：１０．３７２４／ＳＰ．Ｊ．１０７７．２００９．００２９７ 活性钎焊法连接碳化硅陶瓷的连接强度和微观结构 １，２ １ １ １，２ 刘 岩 ，黄政仁 ，刘学建 ，陈健 （１．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０；２．中国科学院研究生院，北京 １０００４９） 摘 要：采用三元ＡｇＣｕＴｉ活性焊料连接常压烧结碳化硅陶瓷，研究了反应温度、保温时间等钎焊工艺对碳化硅陶瓷连 接强度的影响，分析了连接界面的微观结构和反应产物．实验结果表明，在实验范围内，钎焊温度和保温时间对碳化硅 陶瓷的连接强度均有峰值，四点弯曲强度最高达到３４２ＭＰａ，随着钎焊温度的升高，界面反应层厚度增加，连接强度提 高，但过高的钎焊温度引起焊料的挥发而使连接强度下降．焊料中的活性元素Ｔｉ与碳化硅发生反应在连接界面形成 c 均匀致密的反应层，反应层厚度约１ｍ，ＸＲＤ和ＥＤＸ能谱分析结果表明反应产物是ＴｉＣ和ＴｉＳｉ． μ ５ ３ i 关　键　词：ＡｇＣｕＴｉ焊料；碳化硅；连接强度；微观结构 n 中图分类号：ＴＧ１４２　　　　　　文献标识码：Ａ a g ＪｏｉｎｉｎｇＳｔｒｅｎｇｔｈａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＳｉｎｔｅｒｅｄＳｉＣ／ＳｉＣＪｏｉｎｔｓ r ＰｒｅｐａｒｅｄｂｙＡｃｔｉｖｅＢｒａｚｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓ o １，２ １ １ １，２ ＬＩＵＹａｎ ，ＨＵＡＮＧＺｈｅｎｇＲｅｎ，ＬＩＵＸｕｅＪｉａｎ，ＣＨＥＮＪｉａｎ n （１．ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣｅｒａｍｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０００５０，Ｃｈｉｎａ；２．ＧｒａｄｕａｔｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆｔｈｅＣｈｉ I s ｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００４９，Ｃｈｉｎａ） l Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＳｉｎｔｅｒｅｄＳｉＣｃｅｒａｍｉｃｓｗｅｒｅｂｒａｚｅｄｗｉｔｈｉｔｓｅｌｆｂｙｔｅｒｎａｒｙＡｇＣｕＴｉｆｉｌｌｅｒｍｅｔａｌｆｏｉｌ．Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｂｒａ f a i ｚｉｎｇｐａｒａｍｅｔｅｒｓｓｕｃｈａｓｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｈｏｌｄｉｎｇｔｉｍｅｏｎｊｏｉｎｉｎｇｓｔｒｅｎｇｔｈ，ｔｏｇｅｔｈｅｒｗｉｔｈｉｎｔｅｒｆａｃｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ