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第 22 卷第 9 期 半 导 体 学 报 . 22, . 9
V o l N o
200 1 年 9 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S Sep. , 200 1
聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
熊绍珍 赵 颖 吴春亚 郝 云 王 跃 陈有素 杨恢东 周祯华
(南开大学光电子所 国家教育部光电子信息技术科学重点实验室, 天津 30007 1)
( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学开放实验室, 北京 100083)
俞 钢
(U N IA X Co rpo rat ion , 6780 Co rtona D r ive, San ta B arb ara, CA 93 117, U SA )
摘要: 对聚合物发光二极管 特性的测量发现, 被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和 “迟滞
I V
回线”状场致漂移的伏安特性. 模拟分析表明, 一种反向势垒的存在及其击穿, 应是引起负阻现象的原因. 缺陷
态的存在及其电荷填充的变化, 是导致 特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因. 而低场下的接触性能决定
I V
着发光二级管载流子的输运性质: 若为非欧姆接触, 则 曲线可用 隧穿模型来描述; 若为欧姆接触, 则应
I V F N
用陷阱电荷限制电流 (TCL ) 模型来描述.
关键词: 聚合物发光二极管; 负阻现象; 反向势垒, 隧穿模型; 陷阱电荷限制电流 ( ) 模型
F N TCL
PACC: 7860F ; 7320H ; 7340G
( )
中图分类号: TN 383 文献标识码: A 文章编号: 02534 177 200 1
件也能用空间电荷限制电流(SCL C ) 或陷阱电荷限
1 前言 制电流(T CL ) 模型予以描述. 电流与电压满足的幂
指数关系, 在很大范围内都是正确的. 尤其对大多数
有机发光器件是电流型器件, 其发光机制与注 小分子有机发光器件而言[ 5, 6 ] , 但在聚合物器件中也
入载流子的输运特性休戚相关. 对 特性的分析 不乏符合此类模型的报道[7, 8 ].
I V
无疑将是研究器件发光机
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