MRI系统中梯度放大器的设计陈历曦黄铉王莉.pdfVIP

MRI 系统中梯度放大器的设计 陈历曦 黄铉 王莉 陈历曦先生，硕士，西南交通大学磁悬浮与超导技术研究所；黄铉女士，硕士， 东软信息职业技术学院，嵌入式系统实验室讲师；王莉女士，教授，博士，西南 交大磁悬浮与超导技术研究所副所长。 本文意在为 1.5T 的超导 MRI 系统设计可提供快速变化强电流，并且可以实 现精确电流控制的梯度放大器。针对传统梯度放大器设计中存在的一系列问题提 出了解决方案，以实现同时满足大功率，精确控制，以及低开关损耗的高性能要 求，最终优化 MRI 系统的成像质量。通过文章最后的实验结果证明了此方案可以 在很大程度上改善系统的性能。 一 MRI 中梯度放大器简介 MRI 系统需要数百安培的强电流驱动梯度线圈，产生 X 、Y 、Z 三个方向的 梯度场，与静态主磁场叠加，以完成空间定位与成像，梯度波形如图 1 所示。同 时MRI 的整个诊断成像过程需要在 50~200ms 内完成，所以梯度线圈中的电流波 形需要具有快速的上升和下降速度，最终的成像质量很大程度上取决于对梯度电 流控制的精度。因此设计出可以供大功率输出，并且可以对快速变化的电流实现 精确控制的梯度放大器，已成为了 MRI 系统设计者面前首要课题。 二 传统梯度放大器设计中所存在的问题 传统的全桥拓扑图 2 ，由 DC 电压源为梯度线圈提供能量，通过逻辑控制或 PWM 控制 4 个全控型开关器件如 IGBT 的导通关断，以改变梯度线圈两端电压， 从而实现对梯度线圈中电流的控制。其中包含一级由电感和电容组成的低通滤波 器，它的截止频率一般选为开关频率的 0.5~0.8 倍，比如当开关工作在 50kHz 时， 截止频率近似为 30k 。 但这个拓扑结构存在一些无法回避的问题，首先传统的拓扑结构无法同时满 足快速上升时间与在梯形波顶端的小纹波精确控制。成像所需梯度波形如图 1， 要求电流上升时间尽量短，通常要求在几毫秒内上升到几百安培。梯度线圈通常 di 是几十到几百毫亨的感性负载，而 U=L ，所以通常需要负载两端需要上千伏的 dt 电压以保证电流上升速度。而在波形顶部，只需线圈两端电压满足 U=IR ，即能 够补充线圈寄生电阻所消耗的能量即可，所以只需要 100V 左右的电压即可。传 统的拓扑结构由于只有一个 DC 供电，只能此电压进行折衷，即减慢了电流上升 时间，又增加了衡流时的开关损耗。 使用传统拓扑结构得到的梯度波形如图 3、图 4 所示，可见难以同时实现电 流的快速上升和梯度顶端的小纹波平滑输出。 改进方法及思路 针对梯度系统不同的工作阶段，为梯度线圈提供不同的电压。当梯度波形需 要快速上升或下降时，为系统提供 1000V 的高压，以缩短上升的时间，而当波形 处于水平时，为梯度线圈提供 100V 的电压，来补偿线圈内阻所消耗的能量，同 时减小开关损耗，如图 5 所示。 实现上述思想的方法如图 6，即通过控制开关器件 Q1、Q2 来实现线圈两端 电压的调节。开关器件Q1、Q2 驱动信号反向，即 Q1 导通时 Q2 关断，相反 Q2 导通时 Q1 关断。对 Q1、Q2 进行 PWM 调制，通过调节一周期内 Q1、Q2 导通的 时间比，来实现梯度线圈两端电压的调节。例如当Vdc =600V ，一周期内 Q1、Q2 各导通 50%的时间，全桥两端电压VAB 即为 300V 。 考虑对滤波电容采用类似思路，在电流“爬升”阶段，为减小储能元件对电 流上升速率的影响，使用一个较小容量的电容，而当梯度波形处于平顶端阶段， 或需要产生正弦波电流时，换用一个大电容进行滤波，消除开关产生的纹波，实 现平滑的电流输出。当放大器工作在非谐振模式下的时候，希望谐振电容器不起 作用。当工作在谐振模式下的时候，由谐振电容和线圈负载共同组成谐振拓扑以 产生正弦波形。 当电路工作在非谐振状态下时，控制开关打开，谐振电容对电路工作没有影 响。而当希望电路工作在谐振状态下时，导通控制开关，是电路完全工作在谐振 状态下，产生成像所需要的正弦波电流。 三 梯度放大器设计方案及实现 1. 级联 PWM 传统单一的全桥拓扑结构存在的另一问题是在进行 PWM 调制时，纹波频率 受开关器件开关频率的限制，而即便使用快速开关