高频大功率金刚石薄膜场效应管研究进展.pdfVIP

第25 卷 第9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 25 No. 9 2010 年9 月 Journal of Inorganic Materials Sep. , 2010 文章编号: 1000-324X(2010)09-0897-09 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00897 高频大功率金刚石薄膜场效应管的研究进展 刘金龙, 李成明, 陈良贤, 黑立富, 吕反修 (北京科技大学 材料科学与工程学院, 北京 100083) 摘 要: 随着CVD 人工合成金刚石薄膜质量的不断提高, 其优异的电学性能在高频、大功率领域特别是场效应管中 的应用受到了极大地关注. 制作金刚石薄膜场效应管, 电子级质量的薄膜、形成良好的接触以及半导体的形成是其 关键技术. 以此为基础, 为达到其在高频大功率下使用的目的, 减小栅长和各种寄生参数以及提高耐压和散热能 力成为决定其性能优劣的关键因素. 本文针对金刚石薄膜场效应管制作的关键技术的突破、H 端基表面导电机制、 目前高频大功率场效应管的水平以及出现的一些相关在研热点进行了综述, 展望了其巨大的优越性和广阔的应用 前景. 关 键 词: 金刚石薄膜; 高频; 大功率; 场效应管; 综述 中图分类号: TN304; TN386 文献标识码: A Progress of High Frequency and High Output Power FET LIU Jin-Long, LI Cheng-Ming, CHEN Liang-Xian, HEI Li-Fu, LÜ Fan-Xiu (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China) Abstract: Diamond films have been paid much attention in high frequency and high output power field, especially in field effect transistors (FET) with its outstanding electrical properties in the last two decades. For optimum elec- tronics performance, quality of electronic films, good contacts and forming semiconductors are key techniques to make FETs. How to reduce gate length and various parasitic parameters and improve withstand voltage and heat-sinking capability determines whether FETs are of high-performance. The breakouts of key techniques, research progress and related hot spots of diamond films for high frequency and high o