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影响化学位移的因素 影响化学位移的因素 影响化学位移的因素 影响化学位移的因素 • 磁各向异性效应 • 磁各向异性效应 (2)三键(C≡C)的各向异性效应 (2)三键(C≡C)的各向异性效应 虽然上面提到的SP杂化碳的诱导效应减少了 炔质子的电子云密度，但正屏蔽效应使炔质子的 炔烃分子为直线型，其上的氢核正好位于p电 子环流形成的诱导磁场的正屏蔽区，如图所 化学位移相对于烯烃处于较高磁场位置。(dH 示。乙炔分子在磁场中的取向与外加磁场平 1.8~3.0 ppm之间，烯氢为dH 4.5~5.7 ppm之间). 行，由于圆筒状的p循环而产生正屏蔽效应。 R H 2.5-3.2 121 122 磁各向异性效应 影响化学位移的因素 磁各向异性效应 影响化学位移的因素 (3)单键的各向异性效应 • 磁各向异性效应 (3)单键的各向异性效应 • 磁各向异性效应 (3)单键的各向异性效应 Anisotropic effect of single bond (3)单键的各向异性效应 因C-C单键为负屏蔽圆锥的轴，故当烷基相继取代 甲烷的氢原子后，剩下的氢核所受的负屏蔽效应 也逐渐增大，所以化学位移向低场移动。 屏蔽 去屏蔽 0.85-0.95 1.10-1.20 1.10-1.65 123 124 磁各向异性效应 屏蔽+ 磁各向异性效应 (3)单键的各向异性效应 (3)单键的各向异性效应 去屏蔽 当CH 不能自由旋转时，CH 上的两个氢的 2 2 化学位移就略有差别，如在环形结构中： 如上图所示，平伏键上的Ha及直立键上的Hb受 C1-C2 及C1-C6 键的影响大体相似，但受C2-C3 及 C5-C6键的影响则不相同。Ha 因正好位于C2-C3 ， C5-C6键的负屏蔽区，故共振峰将移向低场da 比db 大0.2~0.5 ppm 。 125