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第 28 卷 第 9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 9
2013 年 9 月 Journal of Inorganic Materials Sep. , 2013
文章编号: 1000-324X(2013)09-0982-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12685
AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究
童 贝, 杨晓非, 林更琪, 陈 实, 欧阳君
(华中科技大学 光学与电子信息学院, 武汉 430074)
摘 要: 借助射频磁控溅射成功制备了 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对 AlN 薄膜压电性能
和 FeCoSiB 薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500 ℃退火处理的 AlN 薄膜具有高度
(002)择优取向和柱状生长结构; 经过 300 ℃退火后 FeCoSiB 薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆
磁电电压系数(αCME)在偏置磁场(H dc) 为 875 A/m 时达到最大值 62.5 A/(m·V); 且磁感应强度(B ) 随交变电压
( Vac) 的变化呈现优异的线性响应(线性度达到 1.3%)。这种 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜在磁场或电场探测领
域具有广阔的应用前景。
关 键 词: 射频磁控溅射; 复合薄膜; 退火; 逆磁电
中图分类号: TQ174 文献标识码: A
Preparation and Converse Magnetoelectric Effect of AlN/FeCoSiB
Magnetoelectric Composite Films
TONG Bei, YANG Xiao-Fei, LIN Geng-Qi, CHEN Shi, OUYANG Jun
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, china)
Abstract: AlN/FeCoSiB magnetoelectric (ME) composite films were prepared by RF magnetron sputtering suc-
cessfully. The influences of annealing on piezoelectric property of AlN film and magnetic property of FeCoSiB film
were discussed. The converse magnetoelectric (CME) response was investigated in detail. The results demonstrate
that after annealing at 500 ℃, the AlN film possesses the highly (002) preferred orientation and typical columnar
microstructure. Pronounced magnetic field sensitivity of FeCoSiB film is
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