MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析.pdfVIP

第32卷 第6期 固体电子学研究与进展 Vo1．32，No．6 2012年 l2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2012 MMIC高温工作加速寿命试验失效机理分析 林 罡h 贾东铭 耿 涛 黄念宁 徐 波 薛 静 高建峰 金毓铨 (微波毫米波单片集成和模块 电路重点实验室，南京，210016) (。南京电子器件研究所，南京，210016) 2Oll一11-20收稿 ，2011-I2-20收改稿 摘要：采用恒定功耗高温加速的试验方法，搭建了相关的试验系统，对高温工作寿命试验 (HTOI)方法在功率 GaAsMMIC领域的应用进行 了一些探索 。试验获得了对失效机理进行分析所需的失效数 ，所有样品的失效都是 由 同一原因引起的。通过监测数据和失效样品的分析，发现存在欧姆接触退化与栅金属下沉两种失效机理，但最终引 起失效的机理单一，为栅金属下沉 。 关键词 ：砷化镓 ；微波单片集成电路 ；赝配高电子迁移率晶体管；高温工作寿命 ；失效分析 中图分类号 ：TN386；TN43 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2012)06—0542-06 FailureM echanism AnalysisinM M IC HTOL Experiments LIN Gang · JIA Dongmin。 GENG Tao。 HUANGNianning。 XU Bo。 XUEJing GAO Jianfeng JIN Yuquan。 (ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratory，Na ng，210016，CHN) (Na ngElectronicDevicesInstitute，Nanjing，210016，CHN) Abstract：Constantpowerdissipation techniquehasbeen used in GaAspowerMM IC high temperatureoperatinglife(HTOI)experiments，thenrelatedtestsystem construction，datacol— lection and failuremechanism analysis are reported．Allsamplesexhibite very similarphe— nomenonand existstwo failuremechanisms：ohmiccontactdegradation and gatesink．But throughon—linedataanalysisandelectronicparametercompare，gatesinkisfinallyconfirmedto betheonlymechanism leadingtofailureinHTOL experiments． Keywords：GaAs；MMIC；PHEMT；hightemperatureoperatinglife(HTOL)；failureanal- ysis EEACC：2560；2570 以大大加快元器件的失效速率 ，从而实现短时间内 — 王 得到元器件的可靠性评价数据。 口 在GaAs器件和电路领域，温度加速寿命试验也 温度加速寿命试验是各种半导体器件寿命评价 是各厂商标识其产品可靠性的基准试验手段，但大多 方法 中最重要的一种 ，其物理机理是基于化学反应 采用标准FET管芯或标准可