CuxBi2Se3拓扑超导体研究进展及其掺杂特性.pdfVIP

第4l卷 第12期 稀有金属材料与工程 V01．41，No．12 2012笠 RAREMETAL 12月 MATERIAI，SANDENGlNEERING December2012 张静，潘露露，陈铮，杜秀娟 (西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) 摘 为3．8～4．2 体，体电子态为满带能隙超导态，表面为无能隙Andreev束缚态，并且由于强自旋．轨道耦合效应具有三维狄拉克能带 结构。科学家在Cu，Bi2Se，拓扑超导体中捕捉到了长期以来寻找的零质量零电荷的马拉约那费米子。马拉约那费米子不 被附近的粒子、原子吸引或排斥，强烈对抗无序和杂质，这种容错特性将有效保护脆弱的量子态不受侵害，为将来自 旋量子学和量子计算机的实现提供新平台。本文针对CuxBi：Se。拓扑超导体这一新型量子材料论述其理论和实验研究进 展，然后结合材料科学学科特征论述CuxBizSe，掺杂特性和反位缺陷形成特征，提出通过控制反位缺陷浓度和合理掺杂