ZnO：Ga晶体对硬X射线的时间及能量响应.pdfVIP

第 2O卷第 12期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．2O，No．12 2008年 12月 HIGH POW ER LASER AND PARTICIE BEAMS Dec．，2008 文章编号 ： 1001—4322(2008)12—2088—03 ZnO：Ga晶体对硬 X射线的时间及能量响应 马彦良， 欧阳晓平 ， 陈 亮 ， 张忠兵 ， 张景文 ， 全 林 ， 罗剑辉 ，周海生 ， 郭耀军 (1．西北核技术研究所 ，西安 710024； 2．西安交通大学 电子与信息工程学 院，西安 710049) 摘 要 ： 介绍了ZnO：Ga晶体对重复频率快脉冲硬 X射线的时间响应 ，利用 x射线荧光分析仪测量 了 ZnO：Ga晶体对 1O～100keV硬 x射线的能量响应 。结果表 明：ZnO：Ga晶体对硬 x射线响应 的上升时间为 316ps，半高宽为 440ps；对 40keY 以上 的X射线的能量响应很平坦 。该晶体可 以作为一种新颖的硬 x射线 探测元件 。 关键词 ： ZnO：Ga晶体 ； 无机晶体 ； 硬 x射线 ； 时间响应 ； 能量响应 中图分类号 ： TI816 ．1； O739 文献标志码 ： A Tirsell等人口利用波长为 1．06 m，周期为 150ps，能量为 1J的激光聚焦到 Fe靶上激发产生低能脉冲x 射线 ，x射线与 ZnO：Ga晶体作用产生的荧光 由条纹相机记录，对数据反褶积后得到 ZnO：Ga晶体的上升时间 为 (100±25)ps，半宽为 (250±25)ps。另外 ，Derenzo等人[对 ZnO：Ga晶体 闪烁衰减时间特性进行 了研究 ， 发现在 0．6ns的时间内发光产额达到了97．596／，沉积单位能量光子的发光强度是 NaI：T1的 2／5。由此可见 ， ZnO：Ga晶体作为一种新型的无机闪烁体，显著的特点是同时具备非常快的时间响应和较高的光输 出，在超快 脉冲辐射测量方面应 当具有非常广 阔的应用前景。西安交通大学利用磁控溅射 的方法研制 出了直径为 50nm，厚度为 50 m的 ZnO：Ga晶体 ；溅射靶材选用掺 Ga(摩尔分数为 0．01 )的 ZnO：Ga靶 ，靶材纯度为 5N；生长基底选用Al。O。(001)面晶体，还要在氧气 中作退火处理以提高其光学性能。 西北核技术研究所通过二极管产生脉冲电子束打 Ta靶 的方法最新研制 出了重复频率快脉冲硬 x射线 源I3]。硬 x射线能谱测量在辐射源性能诊断、辐射效应实验和等离子体硬 x射线辐射诊断上具有重要的意 义Is]。我们测量了ZnO：Ga晶体对脉冲硬 x射线源的时间响应特性 ，并利用 x射线荧光分析仪对 ZnO：Ga晶 体的硬 x射线能量响应进行 了测量 ，并对能量响应波形进行了分析 。 1 测量方法及系统 ZnO：Ga晶体对脉冲硬 x射线的时间响应测量系统如图 1(a)所示 ，能量响应实验系统如图 1(b)所示 。图 1(a)中门选通型微通道板光电倍增管提供触发信号，并监测源强 的变化。x射线入射到 ZnO：Ga晶体上时，射 X-ray (a)fortimeresponse (b)forenergyresponse Fig．1 Schematicdiagram ofexperimentsontimeresponseandenergyresponseofZnO：GacrystaltopulsedhardX ray 图 1 ZnO：Ga晶体对脉冲硬 X射线的时间响应和能量 响应实验系统示意 图 * 收稿 日期 ：2008—0730； 修订 日期 ：200809—17 作者简介 ：马彦 良(1975～)，男 ，博士研究生 ，副研究员 ，从事脉冲辐射探测技术研究；mayanliang@yahoo．cn。 第 12期 马彦 良等 ：ZnO：Ga晶体对硬 x射线的时间及能量响应 线产生的电子在闪烁