高能多脉冲辐射照相的复合靶物理分析.pdfVIP

第 2O卷第 12期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．20，No．12 2008年 12月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Dec．，2008 文章编号： 1001—4322(2008)12-2083—05 高能多脉冲辐射照相的复合靶物理分析 施将君， 刘 军，刘 进 (中国工程物理研究院 流体物理研究所，四川 绵阳621900) 摘 要： 介绍了电子束与钽靶相互作用的能量沉积解析理论和 (钽一碳)复合靶的设计。单靶的某个区域 内形成的高温等离子体沿轴的2个方向(± )溅射而使单靶穿孑L，大焦斑束形成较小的孔，小焦斑下靶孑L较大 而相对光滑。复合靶或修正复合靶可以经受 2～3个束脉冲的连续照射。蒙卡模拟计算表明，复合靶或修正复 合靶 的焦斑尺寸与单靶相 同，可用于多脉冲闪光照相。 关键词 ： 闪光照相 ； 高能 电子束 ； 能量沉积 ； 凝聚能； 高温等离子体 ； 复合靶 中图分类号 ： R814．3； 0434．1 文献标志码 ： A 轫致转换靶是 X射线辐射照相的光源。高能量密度 电子束与靶 的相互作用可 以造成靶损坏 (疏松、烧蚀 或穿孔)，影响靶重复使用的效果 。对于参量为 20MeV／3kA／6ons／2．8mm(FWHM)的电子束 ，为了得到最 大的辐射输 出，单脉冲靶厚以4O 的电子辐射长度为佳 。钽 中20MeV 电子辐射长度约为 3．3mmE ，故最佳 靶厚为 1．3ram(蒙卡计算结果为 1．2mm)，近似等效于0．23个电子射程 ]。高能电子束一靶相互作用产生了 轫致辐射 ，并在靶材料内沉积能量 。蒙卡模拟的总能量的分配情况 ：散射 电子透射带走 的能量约 占499／6；轫致 辐射能量 占32Ao；靶内沉积能量约为 19 。20MeV／3kA／60ns电子束的总能量近似为 3．6kJ。约有 680J 的能量在 60I]S内沉积于尺度为 2．8mm(FWHM)的靶 区(热区)内。热区内的靶材料 (钽)会发生一系列复杂 的物理过程 。如果沉积的能量足够多，可以使钽原子从束缚状态经一系列的相变过程转变为 自由状态，甚至于 将钽原子电离 (一个电子的电离能为 7．55eVl2])而使靶材料处于高温等离子体状态。 l 理 论 1．1 靶内电子通量 高斯(Gs)电子束[一 wM／2~／2ln2]在靶 内电子通量分布 )一 exp(一 )G() (1) rwHM 为电子束半宽度 ；N。是 电子束的总电子数，N。≈ ／P，对于 20MeV／3kA／60ns电子束，N。一1．125x 10 ；G(O，2)为电子在靶 中的多次库仑散射 (MCS)归一函数嘲 G(O，z)一 E~／oo(z)~expE-0。12o(z)] ()是靶内z处的均方根 MCS散射角 。分析靶中能量沉积时，不考虑 MCS效应 ，认为束 电子沿 方 向运动 而没有径向的扩散 ，因此高估 了能量沉积 。这一近似表示为方程中的MCS函数，用 G(O，)一1代替。 1．2 单靶内电子阻止本领 电子阻止本领公式为[】 dEf一筹{1n[ ]一譬} 式 中：K 一 4nNor： C一0．3071MeV ·crn ·otol_。，z是材料 的原子序数 ，A是材料 的摩尔质量 (单位为 g／oto1)。对于钽靶，式 (2)简化为 dE／d 1Ta≈印T (3) 方程 (3)中，靶密度 j0以g／cm。为单位，dE／dz的单位为MeV／cm。对于 20MeV束，=1．43；对于 12MeV 束 ，一1．34。同种靶对 10MeV级电子束阻止本领的差别不大。 1．3 单靶原子上的能量沉积 * 收稿 日期：2008—03—14； 修订 日期：2008—09—19 作者简介：施将君 (1941一)，男，