基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术.pdfVIP

第 2O卷第 12期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．2O，NO．12 2008年 12月 HIGH POW ER IASER AND PARTICLE BEAMS Dec．，2008 文章编号 ： 1001—4322(2008)12—2109—04 基于场效应晶体管的高压 电脉冲产生技术 刘 鑫， 刘进元， 杨 方， 张凤霞 (深圳大学 光电子学研 究所，广东 深圳 518060) 摘 要 ： 以高速 MOSFET器件为基础 ，对超快高压 电脉冲产生技术进行 了实验研究。采用多路并联的 高速 MOSFET与感应叠加相结合的形式 ，得到脉冲半宽度为 300ns、上升时间约为 60ns、时间间隔600ns的 超快方波双脉冲 ；在负载 电阻为 11．5Q时，可以产生 365A的脉冲峰值 电流 ，并且能够提供 1．5Mw 的峰值输 出功率 。 关键词 ： MOSFET； 高压脉冲 ； 感应叠加 ； 脉冲变压器 中图分类号 ： TN386 文献标志码 ： A 放 电开关在脉冲功率技术 中具有重要的作用 ，传统的线性调制器采用充有惰性气体的闸流管作为开关元 件，这种闸流管虽然可以承受很高的电压 ，但其重复工作频率较低 ，稳定性差。随着电子技术的发展，出现了一 些以IGBT和高速 MOSFET作为开关元件的半导体固态调制器 ，这些开关器件具有工作频率高和触发稳定 性好等优点，但单个管子的耐压值和输出电流都不能满足实际应用的要求。为了克服这个缺点，出现了各种各 样的电路结构，其 中感应叠加形式的优点最为突出。国外较早地进行 了相关技术 的研究工作 ]：ILNI研制 的应用于DARHT—II的开关调制器已完成了样机制造 ，其输 出电压为20kV，脉冲前后沿小于20ns，可以产生 时间间隔 600ns的4路方波信号 ，平顶宽度 3O～200ns之间连续可调 。近几年，国内也开展了这方面的研究 工作[4]，其 中，中国工程物理研究院流体物理研究所将两支 MOSFET器件进行 串并联 ，分别获得 了 130A／2 MHz的并联输出及 1．6kV／2MHz重复频率脉冲串输 出；中国科技大学国家同步辐射实验室采用感应叠加方 式输出，成功调试 出了平顶约 7Ons、前沿 25ns、输出最大脉冲电流40A的小型调制器实验装置。本文以高速 MOSFET器件为基础 ，介绍了感应叠加式双脉冲发生器的设计原理 ，并研究了其放电特性 。 1 基本 电路原理 图 1为 MOSFET调制器 的基本电路原理 ，主要 由 触发电路、驱动电路和负载放 电回路三个部分组成 ，其 储能元件是电容，触发信号控制MOSFET开关对 回路 负载放电。我们的实验中采用外触发的方式 ，由外部的 脉冲源产生时间间隔为 600ns的双脉冲方波信号控制 MOSFET的开关动作 。 1．1 驱动 电路 功率 MOSFET是电压型驱动器件 ，没有少数载流 石 ……一…。 子的存贮效应 ，输入阻抗高，因而开关速度很高 ，驱动功 Fig．1 Schematicdiagram ofcellMOSFET modulator 率小 ，电路简单。但功率 MOsFET 的极 间电容较大 ， 图 1 MOSFET基本 电路原理 其等效 电路如图2所示 ]，输入电容 c 、输出电容 C…和反馈 电容 C 与极问电容的关系可表示为 C 。一 CGs+ CGD (1) C。 一 Cf)s+ CGD (2) C 一 CGD (3) 功率 MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络 ，它 的工作速度与驱动源内阻抗有关 。理想的栅极驱 动 电路的等效电路如图3N