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系统工程与电子技术
1989年第 8期
Sub一100一nm特征尺寸研究及干法
刻蚀技术的近代发展特点
. 航空航天工业部二院二十三所 刘金声
摘要 微细加-~;tL术建立在 电子 、离子和 光子 的粒子能量 (桕理1和 引起的徽
化学反应 (化学) 的基础上。 固有的粒子微小尺寸 给 它 带 来 了惊人 的精细加工能
力。所谓大规模集成 电路厦声、光、 电、磁特种器件都∞缅收柏这种特珠而广:乏使
用的技术才得 以 出现和 发展 。这 包括 图奸j的 主生和 复印,单层和 多层,一 维和 多维
等工艺的推进 越来越细 的线宽尺寸给集成 电路和 嚣件性能及制造成拳带 来 了极 犬
的好处 ,因而追求 0.1m 以下 的尺 寸夸人们 发生 极 大* 趣 ,并 愿 投 几 相 当可观 的经
费。然而在微 米级不曹发生的现 象当达到 0.1m以下时蛊生 了。这不仅关系到制造
工艺流程 的配置,也关系到新 的器件原理 。表来的器件应如 何考虑所 出现 的新的效
应和如 何修 改原有 的设计理论 是个新 的课 题。本 文着重对此课 题进行论述。
收稿 日期:1989年 4月15日
l 一 一 些基本 问题 。并且,它们具有互补的特点,
LS2lS22J 公式 (13)和 (14解决了按主对角线分子非奇
— 异块 (detA ≠O或detA::≠0)的问题,丽公
— ∞
。 。 J
. A A A3。 A 。
:】一 j IJ j 式 (17)和 (18)则解决 了按次对角线分子非奇
比较式 (30)和 (21)易发现,它们具有完全相 异块 (detA:≠0或detA ,≠0)的问题 。
同的形式。做 以下对 换,亦 即 。一H 有趣的还有,这四个性质 良好、应用方
Ail++日m !】¨H2I和 i±+÷日:2,便可由一 便的分块矩阵求逆公式竟可从多端 日网络参
式求得另一式。对于式 (31)和 (24),式 (32) 数的等效变换中获得。网络参数间的等效变
和 (26),以及式 (33)和08)也 有 而样 的请 换关系是众多的,然而我们发现,所有 由其
况,故不赘述 它的变换关系推导出的分块矩阵求逆公式,
有趣 的是 ,利用文 中提出的四个分块矩 都与上述的四个公式中的菜一个具有相 同的
阵求道公式,恰好解决了矩阵分块分析 中的 形式
参 考 文 献
【1】 P.R.Adby,“Appliedcircu~tTheoy『:3e~strixandComputerMcth~,ds”,EllisHorwoodLimited,l980.
【2】 L.O.ChuaandP M .Lin,℃‘omputer—AidedAnalysisofElectronicCircuits’,Prentice--Hal1.Engle-
wood Cliff~.N .J.1975.
【3】 [日]须田信莫等著,曹长修译, 《自动控制中的矩阵理论》,科学出版社,1979~。
f4】 杨燕 目f等. 《电子计算机应用教学 ,冶盒工皿出版社,l979年。
l5】 A R.Newton and A.L.Sa~qgiovan Vineentelli,“Rela;at~on-Bascd ElcctricalSimul撕on,IEEE
Trails V(I1.CAD 3,No.4,l984.
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主曩调 蚀刻,等离子体腐蚀,离子束加工,溅射
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