C掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质.pdfVIP

第 30卷 第 6期 临沂 师 范 学 院 学报 2008年 12月 Vo1．30 No．6 JournalofLinyiNormalUniversity Dec．2008 C掺杂 ．Si3N4的电子结构和光学性质 潘洪哲 1,2 (1．临沂师范学院 物理系 ．I1lJ东 临沂 276005； 2．中圈工程物理研究院 流体物理研究所 冲击波物理与爆轰物理重点实验窀，四川 绵阳 621900) 摘 要：运用密度泛函平面波赝势方法 (PWP)和广义梯度近似 (GGA)，对替代式C掺杂 ／3一Si3N4 的超晶胞 电子结构进行 了模拟计算，分析 了 一Si3N4：c的电子结构和光学性质．对C掺杂前后 电子结构 的异同以及价键的一些性质进行了对 比分析发现，由于c的掺杂，价带宽度展宽，导带宽度和禁带宽度 均变窄；态密度出现 了几个新的峰，平均峰值有所减小．通过对 比分析光吸收系数发现，相对于 —Si3N4 的光吸收系数，一Si3N4：c的吸收系数有所降低，并且向长波方向移动，100nm处的吸收峰向长波方向移 动 约 l1．8nm． 关键词：平面波赝势方法；密度泛函理论；b相 氮化硅；C掺杂 中图分类号：0731，0734 文献标识码：A 文章编号：l009—6051(2008)06—0030—04 一 c，N 是根据第一一性原理赝势能带理论预言的、与 一SiN 结构相似 的一种物质 ．理论计算表 明， 它具有与金刚石相当的硬度、热导率、高的绝缘性，可广泛应用于光、电、热等领域 …．基于这种理 论预言，由于 一CN4和 一SiN4的晶体结构相同，两者可能形成 SiCN三元化合物 ．这种物质应具有 与 一C3N4和 一Si3N4类似的性质，而且 由于与Si、SiO2等材料的附着力 良好，可应用于微 电子和薄膜 技术 中．从另外 个角度考虑，氮化硅是一种介电材料，碳化硅是一种半导体材料，两者的结合将可 能是一种令人感兴趣 的光学和电学性质的超硬材料 ．因此，对 SiCN的研究具有重要的应用价值 ． 本文在 一SiN4模型的基础上，用一个 C原子替换一个 Si原子，从而得到理想情况下的 一SiN4 掺 C原子的模型；采用基于密度泛函理论的平面波赝势法 (PWP)和广义梯度近似 (GGA)，对该模 型进行优化，确定其掺杂能级在禁带宽度 中的相对位置 ；探讨掺杂微粒 中C原子与基质之间的相互 作用，并对其 电子结构和光学性质进行了理论分析． 1计算方法和模型 一 Si3N4的结构属空间群 c 我们对其进 行结构优化后，其原胞晶格常数为 a --0．7572 rim ， (‘=0．2889nm ； = 90．037。，1，= 120．039。[． 本文计算中取 2x1×1的超 晶胞 t见图1)，超 晶胞 为最低对称 (PI)。掺杂时，C原子直接取代其 中 一 个 si原子 ． 图1 - Si3N4：C的2~lxl超晶胞结构模型图 图 1是我们所建的 一Si3N4：c的2x1×1超 晶胞 结构模型图．大球是 si原子，较小的球为N原子，最小的球为C原子．我们把超晶胞 中的28个原子 分别作 了标记 (如图 1)．掺杂前后的最大差别在于对原子的处理上．前面我们知道 ，在 一Si3N 晶 胞中，根据原子位置的不同，可将N原子分成两类 ，两类N原子的态密度及净电荷等物理数据差别 不大．而掺杂 C原子后的超晶胞 中，同种原子就具有很不相同的态密度 ，所 以有必要再次对各个原 收稿 日期：2008—10—17 作者简介：潘洪哲 (1982一)．男，山东苍山人，临沂师范学院助教，硕士．研究方向：低维凝聚态物理 第 6期 潘洪哲：C掺杂 一Si3N4的电子结构和光学性质 31 子进行合理分类．Perdew等人 [31在研究中提到远离杂质中心的原子的净电荷与基质中同种原子的净 电荷相差不大时