势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN;GaN MOS-HEMT的影响.pdfVIP

中国科技论文在线 势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ 栅AlGaN/GaN MOS-HEMT 的影响# 刘红侠，陈树鹏* 5 （西安电子科技大学微电子学院） 摘要：本文分析了 HEMT 器件的工作机理和器件的基本物理模型，对器件特性进行了二维 数值仿真分析，重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金属功函数对器件特性的影响。研究 结果表明：增加势垒层掺杂浓度、减小栅金属功函数可以增加沟道的载流子浓度。结合能带 10 理论，深入分析了产生该现象的原因。 关键词：AlGaN/GaN ；HEMT；势垒层掺杂浓度；栅极金属功函数 中图分类号：TN4 Influence of barrier layer doping concentration and metal 15 work function on AlGaN/GaN MOS-HEMT with high κ gate