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第32卷 第 8期 发 光 学 报 V01.32 No.8
2011年 8月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Aug.,2011
文章编号 :1000-7032(2011)08-0839-05
具有穿插界面结构的高效绿光有机电致磷光器件
周禾丰 ,张 存 ,郝玉英 ,高志翔 ,王 华 ,许并社
(1.太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西 太原 030024;
2.太原理工大学 新材料工程技术研究中心,山西 太原 030024;
3.太原理T大学理学 院 物理与光电工程系 ,山西 太原 030024)
摘要:以传统有机电致磷光器件 ITO/NPB/CBP:Ir(PPY)/BA1q/Alq/LiF/A1为研究对象,在NPB/CBP:
Ir(PPY)3、CBP:Ir(PPY)3/BAlq及 BAlq/Alq3界面处构造交互穿插结构。器件 的光 电性能测试表 明:交互穿插
结构一方面能够降低电流密度 ,减少高电流密度下磷光猝灭中心的形成;另一方面能增加载流子复合界面面
积,从而分散界面三线态激子,降低三线态一三线态激子的猝灭。此外,界面凸起的存在还有利于器件的光耦
合输出。实验结果表明:当穿插厚度为 10nm,器件的最大电流效率达到34.0cd/A,与传统器件的电流效率
18.7cd/A相 比,提高了55%。
关 键 词:有机 电致发光器件;磷光 ;界面结构;发光效率
中图分类号:TN383.1 PACS:78.60.Fi PACC:7860F 文献标识码:A
DOI:10.3788/fgx0839
到外部空间_1。 。磷光发光材料通常含有铱 (Ir)
1 引 言
或者铂 (Pt)等过渡重金属元素,合成原料 昂贵,
有机 电致发 光器件 (Organiclightemitting 合成工艺复杂,因此这种提高器件发光效率的方
diode,OLED)由于其低阈值 电压、高亮度、无需背 法并非经济之举,不利于 OLED的产业化 。
光源而 自身发光 、宽视角等优点成为现代平板显 本文从改变器件界面结构人手 ,以具有典型
示研究的热点。现阶段 OLED发光材料主要分为 结构的PHOLED为研究对象 ¨,在有机/有机界
荧光发光材料和磷光发光材料。基于荧光发光材 面构筑凸起的交互穿插结构一 ,制作 了一系列具
料的OLED是靠单线态跃迁发光,内量子效率效 有新型结构的PHOLED。通过改变穿插厚度 ,研
率最大可达25%;而基于磷光发光材料的有机 电 究穿插厚度对器件的光电性能的影响 ,得 出了最
致发光器件 (Phosphorescentorganiclightemitting 佳穿插厚度数值,并对交互穿插结构提高电流效
devices,PHOLEDs)可同时利用单线态 、三线态 的 率的机理进行了分析。研究结果表 明:采用这种
辐射发光,在理论上 内量子效率可 以达到 100%, 新结构,不但能提高 PHOLED的发光效率,而且
是荧光 OLED的4倍 ¨,能极大地提高器件 的发 还能在一定程度上避免高电流密度下的磷光猝灭
光效率 。 。但 PHOLED存在高 电流密度下的磷 以及器件老化等现象的发生。
光猝灭问题 ¨ ,对器件 的发光效率 、稳定性和使
2 实 验
用寿命 的影响较大,成为制约其应用的关键。
为了提高PHOLED的发光效率,当前的研究 在制作 PHOLED前,根据实验需要设计并制
重点集中在选用具有 良好空穴传输特性或电子传
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