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第 8期 电 子 学 报 V0J．39 No．8 2011年 8月 ACn ELECn 0NICA sJNICA Aug． 02 11 一 种可用于硅刻蚀工艺模拟的三维表面演化算法 张 鉴 ，戚昊琛 ，徐栋梁 ，胡智文 (1．合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009；2．温州大学瓯江学院，浙江温州 325035) 摘 要： 针对硅微加工中的刻蚀工艺模拟应用，提出了一种基于点元网格和单位法向量的三维表面演化算法 ． 在形成的连续曲面上，以高斯积分法得到点元步进的单位法向量，实现三维表面的构建与推进．根据典型的刻蚀工艺 及其物理模型，该表面演化算法能够用于硅等离子体刻蚀等与表面演化方向相关的工艺模拟．参照简单的各向同性刻 蚀 ，利用该三维算法实现了不同视角的三维硅刻蚀工艺的模拟结果，通过与相关实验结果的对比，验证了这种新型三 维表面演化算法对相关工艺描述的实用性与准确性 ． 关键词： 硅刻蚀 ；工艺模拟；三维；表面演化算法 中图分类号： TN30 文献标识码 ： A 文章编号 ： 0372—2112(2011)08—1869—04 A3一DSurfaceEvolvementAlgorithm forSiliconEtchingSimulations ZHANGJian，QIHao．chen，XUDong．1iang，HUZhi．wen2 (1．SchoolofElectronicsScienceandAppli~Physics，HefeiUnivers ofTechnology，Hefei，Anhui230009，China 2．仇 凡gCollege，WenzhouUniversity，Wenzhou，Zhejiar~325035，China) Abstract： Weusedunitvectorsoftheparametricsurfacecensasanimportantparma etertoachievehtesurfaceevolutional— gorithrn．Ins~adofhtenomlalvectorsoffacetcells，Gaussintegrationisadoptedot calculatehtenoiinulvcetorsofhtesurfacecells， SOastodeterminehteevolvementdirectionsofhtecells．11lesmiulationresultsofthisalgorithm we 3-D visibleof variableper— spective．Ifaphysicalmodelofgivenfabricationisprovided，itCna beapplide tootherprocesseswiht surfaceevolutiondirectionde— pendence ．Someisotropicetchingsmi ulationswereperformedas examples，nadhteresultsnidicatehteaccuratesimulatedsurface． Keywords： siliconetehing；processsmiulatino ；three-dimensional；surfaceevolvementalgorithm 修正，例如小平面的交叉重叠处理等 J． 1 引言 本文提出了一种新的三维表面演化算法，在二维线 MEMS技术在最近十余年得到了飞速的发展_lJ，其 算法的基础上扩展到三维空间，并以点元构建曲面的形 硅刻蚀加工工艺是 MEMS器件及系统制造的主要工艺 式替代传统的小平面单元 ．为便于验证算法的合理性 ，