Cu注入nSi稀磁半导体磁性的研究.pdfVIP

第十二届全国固体薄膜掣哪冶敝 南宁2010 Cu注入n．Si稀磁半导体磁性研究 张倩侯瞀录周真真 河北师范大学信息与物理科学学院，石家庄050016 摘要：在11型Si(100)基底中注入不同计量的Cu离子，对制得样品的磁性以及影响磁性人小的冈 素进行研究。研究表明样品中平均每个Cu原子的饱和磁矩随着注入量的增加而减小，这与样品中 Cu金属颗粒的析出有关，样品的磁性是样品的本征性质，来源于Cu离子之间的交换相巨作用。对 样品的电学性质进行表征，研究表明样品的导电机理符合Efros．Shklovskii变程跳跃模型，同时对电 学性质的研究也在另一方面证实了磁性的来源。 关键词： 稀磁半导体；磁性；掺杂 1．引言 多年来，人们对稀磁半导体(DMS)进行了大量的研究，但是仍然对其磁性起源争论不休，造 成这一局面的丰要原因是掺杂过渡金属闭簇或掺杂过渡金属在母体中形成的化合物具有铁磁性。凶 此，Cu掺杂的DMS逐渐引起了人们的研究兴趣，因为无论足Cu团簇还是Cu的化合物都没有铁磁 性，这就为对磁性起源的判断提供了便利。最近，人们对Cu掺杂ZnO及C