一个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统.pdfVIP

第 32卷 第 5期 应 用 光 学 Vo1．32No．5 2011年 9月 JournalofAppliedOptics Sep．2011 文章编号 ：1002—2082(2011)05—1016—06 一 个非晶硅薄膜太阳能电池制备用激光刻线系统 肖光辉 ，覃 海 ，蓝 劾 ，叶 健 ，杨 明生 ，潘龙法 (1．东莞宏威数码机械有限公司 研发中心，广东 东莞 523018； 2．清华大学 机械工程学院精密仪器与机械学系 光盘国家工程研究中心，北京 1OOO84) 摘 要：非晶硅薄膜太阳能电池制备过程 中的激光刻线工艺要求刻线宽度在 30 m～50 m之 间，死区范围小于300 m，刻线深度符合工艺要求。这不仅要求激光器具有较高的光束质量，而 且要求光学系统具有较高的成像质量和较宽的焦深。设计 了单激光器四分光路 的激光刻线系 统。采用设计的激光刻线装置，在 1400mm×1100mm×3．2mm玻璃基板上进行刻线试验 ， 分别得到刻线 P1，P2，P3的线宽为 35a／m，50a／m 和 45肚m，死 区范 围(P1至 P3的距 离)为 287 m，最终深度分别为0．98a／m，0．24a／m和0．58a／m，刻线宽度和深度均符合薄膜太阳能电 池制备 工艺要求。 关键词：激光刻线系统；非晶硅薄膜太阳能电池；刻线 中图分类号 ：TN249；TM914．4 文献标志码 ：A Laserscribingsystem fora-Sithin film solarcellpreparation XIAO Guang—hui，QIN Hai，LAN He，YEJian ，YANGMing—sheng ，PAN Long—fa (1．RD Center，DongguanAnwellDigitalMachinery，Co．，Ltd．，Dongguan523018，China； 2．OpticalM emoryNationalEngineeringResearchCenter，DepartmentofPrecision InstrumentsandM echanology， SchoolofMechanicalEngineering，TsinghuaUniversity，Beijing100084，China) Abstract：Thelaserscribingprocessfora—Si(amorphoussilicon)thinfilm solarcellpreparation requiresthelinewidthof30 “m～ 50a／m，thedeadzoneof1essthan 300a／m in size，andthe complianceoflinedepthwiththeprocessrequirements．Thus，thehighbeam qualityofthela— serisrequired，aswellasthehighimagingqualityandwidefocaldepthoftheopticalsystem． A laserscribingsystem withasinglelaserandfour—waylightsplitterswasdesigned．W iththe designed Iaserscriber，alaserscribingtestwasdoneona1400mm ×1100mm ×3．2mm glass substrate．ThewidthsofthescribinglinesP1，P2andP3were35a／m，50a／m and45a／m ，re— spectively，thedeadzone(distancebetweenP1andP3)was287a／m ，andtheirfinaldepths were0．98a／m ，0．24 a／m and 0．58 a／m respectively．Theresultsshow thatthewid