共沉淀法合成CeO2／γ-Al2O3复合纳米晶的研究.pdfVIP

维普资讯 第 25卷 第 6期 稀 土 Vo1．25，No．6 2004年 12月 ChineseRareEarths December2004 共沉淀法合成 CeO2／一Al2O3复合纳米晶的研究 宋晓岚 ，吴雪兰 ，王海波 ，曲 鹏 ，邱冠周 ，曲选辉 (1．中南大学 资源加工与生物工程学院，湖南 长沙 410083； 2．北京科技大学 材料科学与工程学院，北京 100083) 摘 要 ：以Al(NO。)。·9HO和 Ce(NO。)。·6HO为原料 ，氨水为 pH值调节剂，并加入少量表面活性剂 PEG4000，采用化学共沉淀法制备了前驱体 ，前驱体经高温热处理得到含 25 (质量分数)CeO 的CeO ／7一AlO。 复合纳米晶。通过正交试验 ，获得了共沉淀的优化条件 ：pH值为9～1O，反应温度约3O℃，反应时间为20min，表面 活性剂用量为 0．44 (质量分数)，前驱体热处理温度 800℃为宜。使用TG／DTA、XRD、BET、IR、纯度及化学成分 分析等方法对 CeO ／7一AlO。复合纳米晶的性能进行了表征。 关键词 ：CeO ／7一AlO。；复合纳米晶；共沉淀法 ；性能表征 中图分类号 ：O614．33；TG739 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—0277(2004)06—0010—06 随着计算机等行业飞速的发展，对集成电路的 些基质材料进行抛光可取得 良好的效果，有着抛光 集成度要求也越来越高，即出现了大规模集成电路。 速率高、选择性好的特点。AlO。CMP技术正成为一 超大规模集成电路的几何尺寸的缩小 ，导致结构的 种更受欢迎的钨 内连 (interconnects)、通道 (vias)和 立体化 ，布线的多层化[1]，因此要求被刻蚀的表面非 接触器 (windows)的平坦化方法。另外 ，对于像硬存 常平整。同时，为了提高生产效率和优化率，用于生 储器盘 (rigidmemorydiscs)镀镍板工作表面之类 产器件衬底的硅单晶片的直径 已发展到 200mm～ 的金属表面，也可用 AlO。CMP浆料进行很好的抛 300mm，这样的硅片必须先进行全局平面化。化学 光以得到适宜的表面性质。进一步研究表明 ]，由于 机械抛光 (ChemicalMechanicalPolishing，CMP)， 纳米 CeO 具有强氧化作用，可作为硅 片及层 间 是 目前能提供超大规模集成电路制造过程中全局平 SiO 介 电层抛光的研磨粒子 ，具有平整质量高、抛 面化的一种新技术 ，用这种方法可以真正使整个硅 光速率快、选择性好的优点。CeO 粒子 比SiO 粒子 圆晶片表面平坦化 ，也可以说它是解决多层绝缘介 柔软，因此在抛光过程中，不容易刮伤抛光面，从而 质层和多层金属布线平坦化 的唯一、有效的办法 ， 保证有更高的表面平整度；且虽然 CeO 粒子硬度 CMP过程被喻为半导体加工技术的一次革命 ]。 小，却具有抛光速率快的优点，这主要在于CeO 粒 CMP工艺的关键技术是要开发新型抛光浆料。 子在抛光过程中所起的化学作用。因此 ，如果将 目前 ，在浆料市场中，占主导地位的是高分散的纳米 CeO 与 AlO。复合 ，制备含CeO 的AlO。纳米晶 SiO 浆料 。但是 ，在集成电路生产过程中，要经常使 粉体 ，则有望扩展 AlO。作为 CMP研磨料的应用 用 W (钨)等膨胀系数低的金属作为半导体布线材 范围，使得其化学作用进一步提高 ，CMP效果会更 料及薄膜材料。对这些导线和薄膜的平坦化加工 ，传 佳 。 统的纳米 SiOCMP浆料 由于SiO 硬度不够和选择 随着现代材料科学的发展，各种化学法合