半导体激光器远场光强特性分析.pdfVIP

维普资讯 笫28卷 第 6期 激 光 技 术 Vo1．28，No．6 2004年 12Jj LASER TECHN0L0GY December，2004 文章编号：1001—3806(2004)060661—03 半导体激光器远场光强特性分析 莓 灏，张 全，李 鹏 (浙江大学 光 电系 光 电子所 ，杭州 310027) 摘要 ：利用傅里叶变换及坐标变换的方法推导了处于空间任意位置的半导体激光器远场模场表达式，在此基 础上对半导体激光器相对于原点发生平移及转动情况下的远场光强分布进行了分析 。为半导体激光器的发散角 、 功率分布等参数的测试提供了理论基础。 关键词：远场 ；模场 ；分布 ；坐标变换 中图分类号 ：TN248．4 文献标识码 ：A Theanalysisoffar-field lightintensitycharacteristicoflaserdiode XUEHaoZHANGQuan，LIPeng (InstituteofPhotonics，DepartmentofOpticalEngineering，ZhejiangUniversity，Hangzhou310027，China) Abstract：Theexpressionofthefar—fieldlightintensityofLD(1aserdiode)atanyspatiallocationisdeducedwith Fouriertransformationandconversionofcoordinates．Onthisbasis，theafr—fieldlightintensitydistributionisanalyzedwhile thepostureofLDrelativetoorigin0hasrotatedortranslated．Thetheoreticalbasishasbeenprovidedforthetestingof parameterslikedisperseangleanddistributionoflightintensityetc．ofLD． Keywords：far—field；mode；distribution；conversionofCoordinates 引 言 析，为测试工作建立理论模型。 1 理论模型 在半导体激光器同光纤的耦合中，无论是直接 耦合 ，还是光纤透镜 J、球形透镜光纤 及柱形透 1．1 半导体激光器远场光束模场表达式 镜光纤 等间接耦合方式 ，判断该方式是否优越的 假设从半导体激光器发 出的光束为高斯光束 ， 主要标准是耦合效率和失准容忍度 。上述两个关键 且束腰位于半导体激光器端面，如图 1所示 ，设 ，Y 指标同半导体激光器 的功率及发散角直接相关 ，而 由于生产工艺等原因造成不同半导体激光器个体的 功率及发散角不尽相 同，生产厂商给出的只能是一 个典型值 ，用典型值来进行参数估算 ，必然造成结果 的不准确性。因此 ，对半导体激光器个体的功率及 发散角在远场的分布情况进行测试就是一项十分必 要的工作。目前常用 的测试手段为：将光电探测器 安装在长度为 R的可旋转臂上 ，用此旋转臂带动探 测器在半导体激光器远场 中扫描 ，并从扫描结果判 断半导体激光器的光场特性。作者的目的就是通过 ig．1 Schematicillustration oflaserbeam emittingfrom LD 对半导体激光器远场光强在特定情况下的