固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备及发光特性研究.pdfVIP

维普资讯 第34卷 第2期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34No．2 2005年4月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS Apri1，2005 固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜的制备 及发光特性研究 李 莹。，孙汪典 ，唐振方 (1．暨南大学预科部，广州510610；2．暨南大学物理系，广州510632) 摘要：ZnSTe薄膜具有高效的发光特性。样品可观测到强烈的光致发光，随着Te含量 的不同，发射光的颜色 从深蓝到黄变化，使其成为制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS Te多晶薄 膜真空蒸发制备的情况，并用X射线衍射仪对淀积在玻璃、石英玻璃和单晶硅衬底上的多晶薄膜进行结构分析，用 紫外一可见分光光度计、荧光光谱分析仪对样品的光吸收和发光性质进行研究。分析表明，该薄膜的结构符合闪锌 矿的特征。紫外一可见吸收光谱显示该样品在紫外光区有一个强烈的吸收峰，可见光区的吸收很微弱。光致发光光 谱表明，样品在可见光区有一个以470nm为中心的发射峰，发射光肉眼可见。该多晶薄膜基本保持了单晶薄膜的 紫外吸收、光致发光等良好特性。 关键词：固溶体半导体；ZnS Te多晶薄膜；真空蒸镀；紫外吸收；光致发光 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000—985X(2005)02-0349-04 PreparationofaNew FunctionalMaterialZnSlTe Polycrystalline ThinFilm andItsPhoto-propertyStudy LIYing，SUNWang—dian，TANGZhen-fang (1．Pre-University，JinanUniversity，Guangzhou510610，China；2．DepartmentofPhysics，JinanUniversity，Guangzhou510632，China) (Received16July2004) Abstract：TheZnSTealloythinfilm hasahighlyefficientlightemission．Inthesamplesaverystrong photoluminescencewasobserved．ByadjustingTecompositionthecolorofemittedlightcanbetuned from deep blue to yellow．ZnSTe isa promising materialfor the shortwavelength optoelectronic applicationsandultravioletdetectors．TheZnSTepolycrystallinethinfilmswerepreparedbyvacuum evaporationontheglass，quartzglassandsiliconsubstrates．Itspropertiesincludingstructure，ultraviolet absorptionand photoluminescencespecturm werestudied by X—raydiffraction，visibleandultraviolet spectrometerandfluorescencespectroscopyinthispaper．Thestudyindicatesthatthefilm belongstoa zincblendestu