大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析.pdfVIP

《半导体光电》2007 年 12 月第 28 卷第 6 期 王立彬 等 : 　大功率倒装结构 L ED 芯片热模拟及热分析 光电器件 大功率倒装结构 L ED 芯片热模拟及热分析 王立彬 , 陈　宇 , 刘志强 , 伊晓燕 , 马 　龙 , 潘领峰 , 王良臣 ( 中国科学院半导体研究所 , 北京 100083) ( ) 摘 　要 : 　对功率型倒装结构发光二极管 L ED 温度场分布进行了有限元模拟 ,与实测结果进 行了比较 ,并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析 。结果表明 ,凸点的形状及分布与芯片内 部温差有着密切的关系 ,蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响 。同时 ,对倒装结构与正装 结构的热阻进行了比较 。 关键词 : 　GaN ; L ED ; 热模拟 ; 有限元 ; 倒装结构 中图分类号 : TN 3 12 . 8 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2007) 06 - 0769 - 05 Thermal Simulation and Analysis of High Power Fl ipchip L ightemitting Diodes WAN G Libin , C H EN Yu , L IU Zhiqian g , YI Xiaoyan , MA Lon g , PAN Lin gf en g , WAN G Lian gchen ( Institute of Semiconductors , Chinese Academy of Sciences , Beij ing 100083 , CHN) Abstract : 　The t her mal p rop ert y of high power flipchip lightemit tin g dio de ( L ED ) wa s simulat ed and analyzed . The re sult s show t hat t he diff erence in t emp erat ure of t he L ED die are clo sely relat ed wit h t he shap e and t he di st ribution of sol der bump s. The t hickne ss of sapp hire al so affect s t he t her mal p rop ert y of lightemit tin g dio de die . The co mp ari son i s given bet ween flipchip an d conventional st r uct ure . ( ) Key words : 　GaN ; lightemit ting dio de L ED ; t her mal simulation ; finit e element analy si s ; flipchip 1 　引言 本文对功率型倒装结构 L ED 进行了有限元模 拟 ,并对模拟结果进行了热学理论分析 ,发现在功率 与传统的白炽灯相比, 白光 L ED 具有节能、环 型倒装结构 L ED 中 ,芯片的内部结构对芯片内部温 保 、发光效率高 、显色指数高 、响应速度快 、体积小和 差有很大的影响 , 即芯片中存在较大的横向热阻。 工作寿命长等突出优点 ,被视