离子束辅助反应制备的氧化铪薄膜特性.pdfVIP

离子束辅助反应制备的氧化铪薄膜特性.pdf

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 第 19 卷  第 12 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol . 19 ,No . 12    2007 年 12 月 H I GH PO W ER L A SER AND PA R T ICL E B EA M S Dec . ,2007   文章编号 :  100 14322 (2007) 离子束辅助反应制备的氧化铪薄膜特性 王聪娟 ,  晋云霞,  邵建达 ,  范正修 ( 中国科学院 上海光学精密机械研究所 光学薄膜技术研究发展中心, 上海 20 1800)   摘  要 :  采用电子束直接蒸发氧化铪 、无辅助电子束反应蒸发和离子束辅助反应蒸发金属铪 3 种沉积方 式制备了单层 HfO2 薄膜 ,对样品的光学性能、结构特性以及激光损伤特性进行了研究 。实验结果表明:通过 反应沉积的方法可以有效减少缺陷产生并改善均匀性 ,施加离子辅助可以提高薄膜的折射率 ,在一定条件下还 可以有效地降低吸收 ,但激光损伤阈值仍未达到直接采用氧化铪制备的水平 ; 晶体结构方面 ,离子辅助条件下 ( ) ( ) 可以获得单斜相氧化铪薄膜 ,并且随着轰击能量的提高由 002 面的择优取向向 - 111 面转变 。   关键词 :  薄膜 ;  氧化铪 ;  离子束辅助 ;  反应沉积   中图分类号 :  O484     文献标识码 :  A ( )   氧化铪 Hf O2 由于具有较高的激光损伤阈值 、较好的机械稳定性与热稳定性 ,从紫外到红外有较宽的透 ( μ ) [ 13 ] 明区域 0 . 22~12 m ,且易于蒸发 , 同时还具有高的折射系数和较高的抗激光损伤阈值 ,现已广泛应用于 高功率激光薄膜的制备中。Hf O2 薄膜的制备可以采用电子束蒸发[4 ] ,磁控溅射[ 5 ] ,化学气相沉积[ 5 ] ,溶胶凝胶 [7 ] 法 等多种方法 。传统 Hf O2 薄膜的制备方式是直接蒸发 Hf O2 ,这是一种简便易行的方法 ,但是却容易产生 节瘤缺陷[ 89 ] 。这主要是由于氧化铪在蒸发过程中呈半熔融状态 , 易产生喷溅 ,导致颗粒材料埋伏在薄膜内成 为节瘤缺陷 ,限制了薄膜的激光损伤阈值 。而金属铪在蒸发过程中呈熔融状态 ,因此采用金属铪反应蒸发的方 法能够有效减少节瘤缺陷密度 ,在这一过程中施加离子辅助更有助于获得高折射率 、高堆积密度的氧化铪薄 [ 10 ] ( ) ( ) 膜 。我们采用无辅助电子束反应蒸发 EB E 、电子束直接蒸发 R E 以及不同条件下离子束辅助反应蒸发 ( R IBAD) 3 种沉积方式分别在 B K7 基底上制备了单层氧化铪薄膜 ,对 3 种工艺下制备的 Hf O2

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