B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征.pdfVIP

第 3卷 第 1期 材 料 研 究 与 应 用 Vo1．3，NO．1 2009年 3月 MATERIALSRESEARCH AND APPLICATION Mar．2009 文章编号 ：1673—9981(2009)01—0019—04 B．C．N薄膜的制备及其红外光谱表征* 贾福超 一，白亦真 一，庄春强 ”，屈 芳 一，邢娇杨 ，赵纪军。，姜 辛 (1．大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁 大连 116023；2．大连理工大学材料科学与工程学院．辽宁 大连 116023； 3．大连理工大学高科技研究院，辽宁 大连 116023；4．大连理工大学三束材料改性实验室 ．辽宁 大连 116023) 摘 要 ：采用射频磁控溅射方法 ．以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶 ，在氩气和氮气 的氛 围中 ·在室 温和 673K的条件下，分别改变 N。流量 ，沉积 BCN薄膜．经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表 明，在 1000~1800cm 和 2200cm_1处分别出现了C：N键和弱的C三N键 的特征吸收峰．表 明沉积 的薄膜