微波-ECR等离子体辅助沉积Zr-N薄膜结构和性能研究.pdfVIP

维普资讯 真 空 科 学 与 技 术 学 报 第24卷 第5期 334 VACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY(CHINA) 2OO4年9、10月 微波一ECR等离子体辅助沉积 Zr-N薄膜结构和性能研究 刘天伟 ， 邓新禄 王小英 王英敏 董 闯州 (1．大连理工大学三束国家重点实验室 大连 116024： 2．中国工程物理研究院 四川绵阳 621900) StructuresandPropertiesofZr-N FilmsPrepared byECR-MicrowavePlasmaEnhancedSputtering LiuTianwei1,2， DengXinlu，WangXiaoyinf，WangYingminandDongChuang (1．State a／boratoryofrM ￡ 哟 n，Da／a／n ofTechnoo／gy， ，116024，Ch／na； 2．ChinaacademyofEngineeringPhysics，Mianyang，621900，Ch／na) Abs ZrN thinfilmswerepTepa on#45steelbyusingECR-microwaveplasmaenhancedDCmagnetronsputtering．Anincrease intheN2flowleadstophasetransifiom fromZrNtobothZrNandZrN andtoamorphousstate．AtN2flow =2SCcm ～8sccm，thefilmscontain pureZrN．AtN2flow=(10～12)$ccm，bothZrNandtheorthorhombicZrN (口=0．3585nm，b：0．4443nm，c=0．5798am)a陀observed． AtN’flow =14sccm，thefilmshowsastrongtendencytowardsamorphousstate．TheN concentrationofthesamplesvaride from 7．73％ to 66．96％byAugerelectronspectroscope(AES)andelectronprobeanalyses．Thesurfacemicrohardnessofthesamples，v~vingfrom 19．82GPa to26．32GPa，firstincreasesandthendecreaseswithincreasingofN2flow．Thehardestsample，#4，hasawearrateofaboutis4．5×10一 mg／min．Theckm窘esofhardnesscanbeexplainde bythedlallgeoffilm structureduetodifferentI flow． Keywords Plasmaenhanceddeposition；Unbalancedmagnetronsputtering；Zr-N film；N2flow 摘要 在不同氮流量下，利用微波．ECR等离子体溅射沉积技术在45钢基体上制备了ZrN薄膜。XRD、TEM分析结果表 明：随着充入N2流量的改变，薄膜结构由单一的ZrN结构向ZrN和ZrN 复合结构转变，然后出现非晶态结构。当N2流量在 (2 ～ 8)sccⅡI之间，薄膜为ZrN结构；在 (10～12)sccm时，为ZrN和正交的ZrN(口=0．3585nm，b=0．4443nm，c=0．5798nm)混合 型结构；14sccrn时出现非晶化趋势。俄歇电子谱仪(AES)和探针分析表明：薄膜中氮含量为7．73％～66．96％。同时对薄膜的 硬度进行了测试，薄膜硬度在 19．82GPa～26．32GPa之间，随氮值的变化