Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响.pdfVIP

维普资讯 器件制缝与应fl》 M咖凼曲Ⅱ andApplicationofDevice Si能带的非抛物线性对 MOSFET电子输运的影响 李海霞，毛凌锋 (苏州大学 电子信息学院，江苏 苏州 215021) 摘要 ：随着器件尺寸的进一步减小，si能带的非抛物线性以及高电场对 MOSFET中沟道 电子 输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上 ，研究了非抛物线 因子对沟道 电子输运的影响。研究表 明，非抛物线因子对小尺寸器件输运 电流 的影响大，而对大尺寸器件输 运电流的影响不明显，这意味着对于深亚微米 MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件 电子输运 的 影响。 关键