掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第 1期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 No．1 2008年 2月 JOURNAL OF SYNTHE11C CRYSTALS Febmmv．2008 掺 Cd对 ZnO薄膜光学性能的影响 陈 航，邓 宏，戴丽萍，陈金菊，韦 敏 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘要：采用溶胶一凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺 Cd浓度的ZnO薄膜。x射线衍射 (XRD)结果表明，所制备的 薄膜具有c抽择优取向，随着cd掺杂浓度的升高，(002)峰向低角度方向移动。uV透射曲线表明，薄膜具有明显 的紫外吸收边 ，通过改变Cd的掺入浓度，可以使吸收边向长波方向移动并被控制在一定范围内，从而使薄膜的禁 带宽度连续可调；薄膜的光致发光(PL)谱显示 ，ZnO薄膜的PL谱是由紫外激子发光峰和蓝光发光带组成，通过掺 入cd可使紫外带边发射的峰位向低能端方向红移 ，这与透射谱中吸收带边的红移相吻合，由紫外发光峰得到的光 禁带宽度和由透射谱拟合得到的光禁带基本一致。对不同掺杂浓度的薄膜进行了比较，发现cd掺入量为8％摩尔 分数时ZnO薄膜具有最佳的结构性能和发光性能。 关键词 ：溶胶-凝胶法；Cd掺杂；光学禁带；红移 ， 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2008)ol-0213-05 Cd-dopingEffectsonStructureandOptical PropertiesofZnO ThinFilms CHENHang，DENGHong，DAIH-ping，CHENJin-ju，WEIMin (StatekeyLaboratoryofElectronicFlimsandIntegratedDevices，UniversityofElcetronicScience nadTceh~logyofChina，Chensau610054，China) (Received12June2007，accepted2July2007) Abstract：PureandCddopedZnOthinfilmswerepreparedonquartzglasssubstratesbysol—gelmethod． X．raydiffraction(XRD)Wasusedtoanalyzethestructurepropertiesofhtehtinfilms．Itwasfoundthat allhtefilmspreparedhaveapreferentialc-axisorienattion．Thepeakpositionofthe(0o2)planeshifted tothelow anglevaluewithhteincreaseofCddoping．From htetransmittancespectrum．hteoptical absorption—edgeobviouslyshiftedtohtelongerwavelengthwithincreasingCddoping．Itwasf0undfrom thephotoluminescence(PL)measurementthathtespecturmobatinedunderroomtemperaturecontains twoemissionsbnads：htevioletbandwithapeakat3，24eV nadhteblueband at2