回顾和展望MOS 集成电路的发展.pdfVIP

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2017-09-11 发布于山东
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回顾和展望MOS 集成电路的发展.pdf

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1997 年第期 MOS 甘学温莫邦燹 ( 北京大学微电子学研究所) [ ] 回顾总结了MOSVLSI 的发展, 展望了未来发展趋势, 说明工技术的进步以及器件和电路设计的不断改进对VLSI 发展的重要作用 : MOSVLSI 工技术 DRAM 单元 CMOS 电路 MOSVLSI , , , , 1971Intel 4004 80 , , 23K, 1993 Intel , 15% , pentium , 08m BiCMOS 1994 25% , , 31M199 , Intel 1000 , 1097 , , 035m , 2000 2000 450 , 200MHz NEC32 RISC , 04m , 3 CMOS , 500MHz, 1 MOSVLSI 2001, 100M, M OSVLSI 2G , ASIC , VLSI CMOS , 80 , MOS 2001 5M / , 2007 3 4 , 20M 1 MOSVLSI 80 , DRAM , 1995 2 MOSVLSI 1Gb DRAM , NEC 025m , 2 93 mm , 11 11 4Mb, VLSI , 2000 1Gb DRAM , 2007 1 Gb DRAM , 2031 1Tb , , (TERA-bit) , 2051 1Pb( PETA 80 G. Heilmeier 10 bit) 01PETA, , 11%, 50 19% 1 , 5 10 7 电子科技导报 1 MOSVLSI 1992 1995 1998 2001 2004 2007 ( m) 050 035 025 018 012 010 ( / ) 300K 800K 2M 5M 10M 20M DRAM ( / ) 1 M 4M 25 M 1G 4G 1 G SRAM( / ) 4M 1 M 4M 25 M 1G 4G