ICPCVD制备硅薄膜结构的椭偏光谱研究.pdfVIP

第36卷 增刊1 稀有金属材料与工程 、bI．36，SuppI．1 2007年 8月 RAREmT札MATERIALSANDENG附EERING 2007 ^mgust ICPCVD制备硅薄膜结构的椭偏光谱研究 王晓强1，贺德衍2，李明亚1，甄聪棉3，韩秀梅1 (1．东北大学秦皇岛分棱．河北秦皇岛066004) (2．兰州大学，甘肃兰州73000) (3．河北师范大学，河北石家庄050016) 基础上．采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(sE)法对样品进行了测量，结合有效介质近似(EMA)模型，对样品的微 结构进行了计算拟台。拉曼光谱及AFM分析表明：样品为具有纳米晶相的si薄膜；分光椭圆偏振法结合EM^模型对 样品微结构的拟合分析得出了同样的结论，说明即使在室温下用IcP—cvD也获得了具有纳米晶相的si薄膜，薄膜微结 构与源气体sim浓度有密切关系。说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段。 关键词：IcP．cvDlsi薄膜；低温生长；椭偏光谱法 中图法分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2007)sl-0931．04 容耦合射频及其他低压高密度等离子体的发生机理不 1 引 言 同，它是依靠在电感圈上旅加的高频电流所产生的诱 硅材料无论是在微电子器件还是光电子和光子器 导电场使电子加速，维持等离子体。因此，无外加磁 件应用方面都是关键性材料。由于硅具有较高的折射率 场、装置简单、容易在低压下形成大面积、高均匀度 (在波长为1．1岫时，『3．53)，满足完全光子带隙的和高电子密度的等离子体。实验证明，利用IcP—cvD 光子晶体的要求，且对通信领域所采用的两个波长1．3 技术在很低的衬底温度下能够制各出较高结晶体分数 pm和1．55pm来说是透明的，因此，硅材料在光电集 的硅薄膜。 成、平面光波导等领域也呈现出广阔的应用前景。对于 本文利用内置式单圈电感耦台射频等离子体 硅薄膜，由于其光学特性与微观结构之间的依赖关系呈 IcP．CvD在室温下制备了硅薄膜。通过拉曼光谱与原 现多样化，因此，在研究薄膜的介电特性时，迫切需要 子力显微镜研究了薄膜的微观结构，在此基础上，利 一种在测量中不会对薄膜造成损伤的方法。由于在测试 用椭圆偏振光谱法(SE)对样品进行了测量，通过计 中无需参比样品、对薄膜无损伤，椭圆偏振光谱法(sE)算机模拟方法以及样品的复介电函数谱分析薄膜的结 越来越多地受到关注，并广泛应用于薄膜材料结构分析 构以及晶化程度。 以及材料生长的实时监测方面[1“。 2实验 传统的硅薄膜低温生长主要采用电容耦合射频等 离子体增强化学气相沉积(PEcvD)技术，也取得了 样品是用自主设计的内置式单圈IcPcvD系统在 诸多成果【4．5l，但也存在着许多难以解决的问题。如， 室温下所制备。电感材料采用壬lO∞的铜管，电感 低的生长速率影响了它们在实际器件制造时的量产 圈直径为10cm。为获得高密度的稳定等离子体，在 cm的绝缘介质。源气 化；在非晶衬底上不易直接晶化影响了器件的性能并 铜管上包覆了一层厚度约为O．1 限制了廉价衬底的使用等。近年来，高电子密度 mumin，在4％～