不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究.pdfVIP

不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究.pdf

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第40卷第2期 人 5- 晶 体 学 报 v。1.40N。.2 OFSYNlrHETICCRYSTALS 1 20I1年4月 JOURNAL April,201 不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究 孙 叶,孙晓燕,介万奇,王 涛,罗 林,傅莉 (西北I:业大学凝固技术国家重点实验窀,西安710072) 摘要:通过x射线粉末衍射方法对大气环境下25~100℃条件下的碲铟汞晶体结构进行了研究。借助Rietveld方 法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度。结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于 Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,品格常数约为0.63163nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降 低,Hg窄位的浓度有所提高;MIT的品格常数呈现出先减小后增大的趋势。 关键词:碲铟汞;李位;晶格常数;Rietveld方法 中图分类号:TN304.2 文献标识码:A XRD ofMIT atDifferent Structure Study Crystal Temperatures SUN n Ye,SUNXiao-yan,JIEWan-qi。WANGTao.LUOLin,FU ofSolidification (StateKeyLaboratory Processing,NorthwesternPolytechnicalUniversity,xi,柚710072,China) 26November 23December (Received 2010,accepted 2010) structureofMITwasstudied diffractioninambient atdifferent Abstract:The byX—raypowder atmosphere from25oCto1 was structure temperatures 00℃.TheRietveldmethod torefinethe and employed determinetheconcentrationof concentration.Theresultsshowthat concentration Hgvacancy Hgvacancy inMIT introduced is1.88%atroom thelattice crystal byhighHgvaporpressure temperature,and constantisabout0.63163n/n.Asthe concentrationof temperatureincreasing,the Hgvacancy thelatticeconstantofMITdecreasesfirstandthenincreases. increas

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