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第40卷第2期 人 5- 晶 体 学 报 v。1.40N。.2
OFSYNlrHETICCRYSTALS 1
20I1年4月 JOURNAL April,201
不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究
孙 叶,孙晓燕,介万奇,王 涛,罗 林,傅莉
(西北I:业大学凝固技术国家重点实验窀,西安710072)
摘要:通过x射线粉末衍射方法对大气环境下25~100℃条件下的碲铟汞晶体结构进行了研究。借助Rietveld方
法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度。结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于
Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,品格常数约为0.63163nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降
低,Hg窄位的浓度有所提高;MIT的品格常数呈现出先减小后增大的趋势。
关键词:碲铟汞;李位;晶格常数;Rietveld方法
中图分类号:TN304.2 文献标识码:A
XRD ofMIT atDifferent
Structure
Study Crystal Temperatures
SUN n
Ye,SUNXiao-yan,JIEWan-qi。WANGTao.LUOLin,FU
ofSolidification
(StateKeyLaboratory Processing,NorthwesternPolytechnicalUniversity,xi,柚710072,China)
26November 23December
(Received 2010,accepted 2010)
structureofMITwasstudied diffractioninambient atdifferent
Abstract:The byX—raypowder atmosphere
from25oCto1 was structure
temperatures 00℃.TheRietveldmethod torefinethe and
employed
determinetheconcentrationof concentration.Theresultsshowthat concentration
Hgvacancy Hgvacancy
inMIT introduced is1.88%atroom thelattice
crystal byhighHgvaporpressure temperature,and
constantisabout0.63163n/n.Asthe concentrationof
temperatureincreasing,the Hgvacancy
thelatticeconstantofMITdecreasesfirstandthenincreases.
increas
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