100取向AlTi共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性能研究.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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100取向AlTi共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性能研究.pdf

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第23卷第6期无机材料学报、b1．23．NO．6 2008年11月 Journalof Materials NOV．．2008 Inorganic 101—05 文章编号：1000—324X(2008)06—1 江民红1,2，刘心宇1，2 (1．桂林电子科技大学信息材料科学与工程系，桂林541004；2．中南大学材料科学与工程学院，长沙410083) 摘要：采用常压固相烧结法制备了Al—Ti共掺ZnO靶材，采用射频磁控溅射技术及真空退火工艺，在普通镜(SEM)对zATO薄膜的生长机理、显微结构、形貌进行了测试分析，用四探针测试仪、紫外一可见分光光度计及荧光光谱仪对ZATO薄膜的光电性能进行了测试分析．结果表明，ZATO薄膜经500oC保温3h退火后，择优取向由(002)向(100)方向转变；此时，衍射谱上还观察到超点阵衍射线条．【1001取向ZATO薄膜的光学带隙从退火前的3．29降至2．86，平均可见光透过率从90％降至70％，表现为一般的透过性；而电阻率则弱．对上述实验机理进行了分析讨论．关键词tZnO薄膜；Ti-Al共掺杂；[i00]取向；光电性能中图分类号：0484文献标识码：A of ZnOThinFilms andPhotoelectric A1-Ti Preparation PropertiesCodoped Orientation with[100】Preferred JIANG Xin-Yul，2 Min．Hon91，一．LIU ofInformationMaterialScienceand ofElectronic (1．Department Engineering，GuilinUniversity Technology, Guilin ofMaterialScienceand South 541004，China；2．College Engineering，Central 410083，China) orientation the Abstract：A1-Ti were ZnO(ZATO)filmswith(100)preferredgrownon glass codoped substratesatroom RF A1-Ti ZnOceramic temperatureby magnetronsputtering．Thecodoped targets for conventionalsolid-state mecha- used were the growth preparedby sinteringprocess．The sputtering andsurface ofZATOfilmswere nism，mi