Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究.pdfVIP

第37卷 增刊l 稀有金属材料与工稷 V01．37，Suppl．1 MEHAl 2008年 1月 RARE MATERtALSANDE]NG仆厄ERn、iG J醐吐fy2008 任招娣，杜丕一，徐铭，翁文剑，韩高荣，沈鸽 ≤囊淡大学硅耪辩髫家重煮实骏室，懑巍魏烟3l0027) 摘要： 行7燕整理。傻蔫x髓，辍撬分撰纹麓薄貘遴露7溅斌，磅究了不羁热始毽象舞怼薄骥分毫经辘豹影确。缝浆表碉，壹警菲 氧化物Ti5si3电极层中氧窀位等缺陷禽量少，因此可成功制铸缺陷少，质避良好的BsT薄膜。快速升温可得到的薄膜晶相含 爨较多，多次重复热处理使薄膜中晶棚的缺陷相jl寸较少；控制薄膜的热处理条件，可以控制薄膜的电容和损耗。 美键谲：溶获。凝薮；BS零； 嚣5Si3；缝曩 中闰法分类号：TN一384 文献标识码：A 文鬻编号：l002一185X(2008)Sl_455一04 首先，采用常援化学气稠沉积法，以毽烷和汹氯 1 引 言 化钛为前驱体在玻璃基板上制备Ti5Si3薄膜。然后， 使用溶胶．凝胶法在涂覆有TbSi3电极层的玻璃基板上 (Ba，Sr)Ti03∞ST)【l】薄膜具有介电常数高、介质损 耗夺、添电滤密度低等优点，在动态随枫存储器 铡蚕BS零薄膜。骞S零薄貘酶其体制备王芑如下：首先 (DRAMS)、微波调谐器、滤波器、相移器、变容二 极管、延迟线等方面有广泛的用途。溶胶一凝胶法【2】具 有成貘温度低，缝分缝度高、均匀能努、设备篱荤， 中， 自然冷却，再用适量鹣乙二醇攀醚 操作方便等优点，因此，巴成为制备BST薄膜的主要 方法之一。 上述溶液混合搅拌lh，得到透明的BSl．前驱体溶液， 不同的底墩极f3l对BS繁薄膜酶形成良及会电性毙溶液浓度惫0135热。沈。用撬拉法在预先制备鲍涂覆 会产生很大影响。ITO【2t4J导电膜由予其优良的光电性 液，获得BsT有机膜。为对比起见，使用同样的方法 能以及其他优点被用作BST薄膜的底电极。但lTO与 BST乏间酶秀谣势垒【3】会等致莫损耗的增加，翁用金 同步在l{℃上涂覆盖BsT蓠驱体溶液，获得BS攀有 属作电极则薄膜的损耗就会小很多。金属Ptfsl被广泛机膜；而后将BST有机膜晾干，直接放入升至600℃ 用作BST薄膜的底电极，但是Pt的造价非常高，为的炉子里经快速升温后，分别在保温5min空冷和保温 此，W戬考虑采惩其健的底电极。 ， l鑫炉冷鹅条箨下进行燕憝理；最后壹接在空气孛冷帮。 金属间化含物硅化钛[6．7】由于其商熔点、低电阻率 每制备～层BST有机膜，就伴随进行一次热处理，经 以及高的热稳定性与化学稳定性两被广泛应用在集成 这样的重复沉积，就可获得不同厚度的8ST薄膜。 电路中，且硅纯钛易于与半导体工艺兼容。因诧，硅 使焉x髓对转ST薄膜进行晶翔等测试，使耀 化钛底电极的使用不仅可以降低成本，减小薄膜的损 4294A阻抗分析仪测试BsT薄膜的电容。频率以及损 耗，且有助于与硅工艺集成。 耗．频率曲线。 本文使用溶胶．凝胶法在涂覆有氍5Si3电极层的玻 3结果和讨论 璃基板上制备了不同层数Ba／sr为6：4的BST薄膜， 并对薄膜在600℃下进行了热处理。研究了不圆热处 3。1 BS薯薄膜的滚胶一凝胶法剃备 理条件对薄膜介电性能的影响。 圈l中线(a)为涂覆有甍5Si3电极屡的玻璃基掇上 制备的