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采用不同技术制造的钽电容器的故障模式 作者：P. Vasina, T. Zednicek , J. Sikula*, J. Pavelka* AVX 捷克有限公司,德沃夏克路 328, 56301 兰施克隆, 捷克共和国 *CNRL TU 布尔诺, 科技路8号, 邮编：60200 布尔诺, 捷克共和国 节选 当自愈情况出现时会出现一些特殊现 象。在某些 情况中，薄弱点和体击穿面积可以 钽电容器的故障模式的讨论基本包括 减少。在实验室实验中，热击穿可以被测量， 两方面：标准二氧化锰负极类型和新导电聚合 而元件装置不被毁坏；电击穿可以被观测到， 物(CP)类型。标准钽电容器在正常工作模式 而只出现最小的损坏。辅助自愈过程也可以被 下，由于电脉冲和电压水平，使沟道（通道） 推导出；氧元素可从二氧化锰负极中释放出 中电导增加，而导致电击穿。这会导致随后的 来，允许钽二氧化物的再生或消除电子陷阱 热击穿，将电容器击毁。在相反模式下，我们 （类似于阳极化处理或钝化过程），使在介质 已经通报过：在相对低的电压水平下，焦耳热 层中的薄弱点减少。 会引起导电增加，从而触发热击穿。最终导致 根据报告，导电聚合物材料有两种自 反馈循环，包括：温度-电导 -电流-焦耳热， 愈途径。第一个理论基于蒸发过程。聚合物的 最终形成电击穿。这两种击穿模式具有随机特 熔化和蒸发温度相当低。如电流错误足以使聚 征，很难提前定位。相对于标准钽电容器而 合物加热，则其可蒸发和消除掉其与该处的联 言，导电聚合物 （CP ）电容器则显示了稍微 系。 不同的电流导电机理。导电聚合物的介质击穿 近似于雪崩击穿和场致发射击穿。是由于两电 自愈的第二个理论则认为当导电聚合物在故障 极之间的引力，电化学衰变，枝状结晶组织等 处被加热时，聚合物吸收氧元素，从而形成一 原因导致的机电崩塌。然而，也出现了某些负 个高电阻帽，封住了电流向该故障处的通路， 极膜发生自愈现象报告。这可能源于膜蒸发， 与二氧化锰 MnO2 的自愈方式大致相同。 [1] 碳化和再氧化过程。但并非所有的电容器击穿 介质层的击穿过程并不十分确定。我 会导致自愈现象或开路状态。可能也会出现短 们的薄氧化膜实验表明电击穿并不在施加电场 路情况。 的定义值精确（高）时出现。击穿过程是随机 过程的结果，最终的击穿个案，多数情况下都 介绍 为独立事件。 我们对于介质击穿的研究意在找出可 以对这种现象加以描述的基本参数系列，及其 实验 与最终产品的质量和可靠性之间的关系。基本 上，介质击穿可由一系列的物理过程产生：焦 击