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飞兆半导体特稿 2013 年6 月 智能MOSFET 提高医疗设计的可靠性同时提升性能 Edmund Suckow 飞兆半导体 （北美）现场应用工程部(FAE) 医疗部门经理 所有的医疗应用在要求高可靠性的同时仍然要为最终用户提供所需的技术进步。由 于各医疗设备公司间竞争激烈，他们的最终应用、功能急剧增加，但是没有考虑到 另外一个可能的失效点的影响。在所有这些点都需要电源，并且采用最新技术进展 来使风险最小化是非常重要的。 智能MOSFET 是这些一直普遍增长的动因之一。由于标准P 沟道(P-channel) FET 的驱动要求简单，它常常被用于转换电源分配节点、连接充电路径、连接器热插 拔、直流电流等等。因为这些器件处于关键线路中，其失效会导致下游传感器或处 理器不工作，因而在稳固的功率开关方面进行投资是明智的。相比等效P 沟道/N 沟道组合方法，Intellimax FET 集成了P 沟道FET 和逻辑电平驱动器，允许简单控 制Rdson 减小的FET 。为增加更多的可靠性，这些器件集成了ESD 保护、热保 护、过电流保护、过电压保护，以及反向电流阻断。所有这些都为医疗应用带来了 高价值和高可靠性。 下列所述是负载开关技术的介绍和其存在于当前电源架构中的原因。它的应用案例 将在实验室范围呈现。我们将讨论小于6V 的应用，可充电便携式医疗应用可以从 该应用中受益。本文也将讨论飞兆半导体最新技术进展所实现的全新40V 智能 FET 应用，将给出非常具有价值的分析结果，展示智能FET 是如何成为医疗行业 的智能化发展趋势。 用于电池应用的负载开关的演进 从电池被集成到电子产品中开始，对于电源隔离的需求一直存在着。引入电池作为 移动电源意味着在使用期间电池将会消耗并必须再次充电。显然，设计的节能特性 会直接影响正常使用和充电之间的时间。在最近这些年里电池技术没有获得任何主 要改进，未来也没有主要突破。因此需要依靠集成电路(IC)技术遵守严格的功耗规 格来延长设备的工作时间。 在我们讨论负载开关之前，需要看看电池技术、电池上的负载、以及负载开关的要 求。在给定充电条件下，可以相对简单地估算电池寿命，如果所有电流消耗路径都 已知。通常并非是100mA 受控的占空比传感器单独影响功耗，而是许多缓慢地消 耗能量的小于1mA 的始终连接的漏电槽。必须把它们粗略地加到功率公式当中， 然而，更困难的是，当给定的功能或传感器启用时，会发生瞬态峰值。在幅度和持 续时间方面，这些尖峰值会受到监控，允许能量计算时使用通常的一次峰值结果与 尖峰数量相乘。 在所有常规负载已知后，可以直截了当地计算工作时间。目前，电池按mAh 的标 度规定，代替先前的库仑，也就是1000 mAh 的电池在其标称电池电压下可以提供 一小时1A 电流或10 小时100mA 电流。 电池工作时间(h)=电池额定值(mAh)/总体电流消耗(mA) 当工作电流分布于浪涌电流之间时，例如1500mA 工作100ms，而连续电流，例如 20mA 指示器LED 用于剩余的工作时间，那么对于那些时间的平均电流可以进行 线性计算。 每小时平均电流=(1.5 A x 0.100 s / 3600 s) + (0.020 A x 3599.9 s / 3600 s) = 20.04 mA 在时域中使用此耗电概念，可以快速了解到负载开关可以用于隔离连续的、然而较 小的电流消耗。短期间尖锐的脉冲并非是罪魁祸首，如果不隔离，数以百计的uA 级电流消耗合计会达到mA 的水平。当功率能够使下游IC 减少影响极其脆弱的 mAh 电池额定值上的不需要的大电压尖峰，此转换将带来软功率爬升的重要性。 在对比功率和稳定的功耗时，可以单独讨论浪涌的影响。对电池的影响会随电池化 学成分和浪涌间的时间而差别很大。通常可以接受，相比较轻而持续的负载，合理 比例的浪涌可以带来更长的电池寿命。请咨询电池供应商了解这方面的具体指南。 电池组的电压随着电能消耗而下降也未有讨论。在基于纯电流的上述公式里，我们 假设电压Vbatt 是恒定的。而且，这取决于电池技术。对于碱性原电池(不可充 电) ，Vmax 为1.5V，这里Vmin 在大多数情况下假设为0.9V 。可充电单节锂电池 Li-ion 电池的标称状态电压为3.7V，然而可以充电至最大4.2V ，而且仍然可以降 落到2.5 至3V 的最低电压Vmin ，这对实际充电具有较大的影响。 理解了电流消耗是如何耗尽电池电平，我们现在可以研究不同的方法