金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证.pdfVIP

维普资讯 金属纳米晶存储器件数据保持能力建模与验证 顾怀怀，程秀兰，施亮，林昆 (上海交通大学 微 电子学院，上海 200240) 摘要：金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性，因此近年来在非易 失存储器研究领域备受关注。对比分析讨论 了量子 限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能 级的影响后，发现库仑阻塞效应会严重削弱器件数据保持能力。在综合考虑金属纳米晶量子限制 效应和库仑阻塞效应的基础上，提出了金属纳米晶存储器件数据保持能力分析模型，并通过与相 关研究文献的实验数据对比分析 ，证实了本模型的合理性。 关键词 ：金属纳米晶；存储器；数据保持能力；量子 限制 ；库仑阻塞；模型 中图分类号 ：TN386．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003．353X (2008)03．0269-03 M odelingandVerifyingforDataRetentionCapability ofM etalNanocrystalM emoryDevice