基片温度对镓钛共掺杂氧化锌.pdfVIP

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2017-09-11 发布于山东
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基片温度对镓钛共掺杂氧化锌.pdf

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32 1 ( ) Vol． 32 No． 1 第卷第期中南民族大学学报自然科学版 20 13 3 Journal of South-Central University for Nationalities (Nat． Sci． Edition) Mar． 20 13 年月基片温度对镓钛共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响，，钟志有张腾汪浩 ( ， 430074) 中南民族大学电子信息工程学院武汉 (GTZO) ， GTZO 摘要以镓钛共掺杂氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了， X (XＲD)、 - ，透明导电薄膜通过射线衍射仪可见紫外光分光光度计和四探针仪等测试表征研究了基片温度对 GTZO 、． : GTZO ，薄膜晶体结构电学性质和光学性能的影响结果表明所制备的薄膜均为六角纤锌矿结构并具有 (002) ，、、、、，择优取向其结晶质量晶粒尺寸方块电阻透过率光学能隙以及品质因数都与基片温度密切相关当基片 350 ℃ ，GTZO ，．温度为时薄膜的品质因数最大具有最佳的光电综合性能 ; ; 关键词氧化锌薄膜掺杂光电性能中图分类号 TM914 文献标识码 A 文章编号 1672-4321 (2013)01-0058-07 Influence of Substrate Temperature on Properties of Transparent Conducting Gallium and Titanium Doped Zinc Oxide Thin Films Zhong Zhiyou ，Zhang Teng ，Wang Hao (College of Electronic Information Engineering ，South-Central University for Nationalities ，Wuhan 430074 ，China) Abstract Gallium and titanium doped zinc oxide (GTZO )thin films were deposited by radio-frequency magnetron sputtering method using a sintered ceramic target． The influence of substrate temperature on crystalline ，optical and