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IGBT 模块的有关保护问题 发布时间: 2009-01-14 09:04:35 摘要：全面论述了IGBT 模块的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题， 并从实际应用中总结出各种保护方法，这些方法实用性强，保护效果好。 1、引言 IGBT 模块是一种用MOS 来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、 电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但 由于 IGBT 模块的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。 为此，必须但对IGBT 模块进行相关保护 本文从实际应用出发，总结出了过流、 过压与过热保护的相关问题和各种保护方法，实用性强，应用效果好。 2、过流保护 生产厂家对IGBT 模块提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT 模块承 受过电流的时间仅为几微秒，耐过流量小，因此使用IGBT 模块首要注意的是过 流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或 干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝 缘损 坏、逆变桥的桥臂短路等。 对IGBT 模块的过流检测保护分两种情况： (1)、驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于 小容量变频器，一般是把电阻R 直接串接在主电路中，通过电阻两端的电压来反 映电流 的大小；对于大中容量变频器，因电流大，需用电流互感器TA。电流互 感器所接位置：一是像串电阻那样串接在主回路中，二是串接在每个IGBT 模块 上，。前 者只用一个电流互感器检测流过IGBT 的总电流，经济简单，但检测精 度较差；后者直接反映每个IGBT 的电流，测量精度高，但需6 个电流互感器。 过电流检 测出来的电流信号，经光耦管向控制电路输出封锁信号，从而关断 IGBT 的触发，实现过流保护。 IGBT 模块的过流检测 (2)、驱动电路中设有保护功能。如日本英达公司的HR065、富士电机的 EXB840～844、三菱公司的M57962L 等，是集驱动与保护功能于一体 的集成电路 (称为混合驱动模块)，其电流检测是利用在某一正向栅压Uge 下，正向导通管压 降Uce(ON)与集电极电流Ie 成正比的特性，通过检测Uce 的大小来判断Ie 的大 小，产品的可靠性高。不同型号的混合驱动模块，其输出能力、开关速度与du/dt 的承受能力不同，使用时要根 据实际情况恰当选用。 由于混合驱动模块本身的过流保护临界电压动作值是固定的(一般为7～ 10V)，因而存在着一个与IGBT 模块配合的问题。通常采用的方法是调整串联在 IGBT 模块集电极与驱动模块之间的二极管V 的个数，如图2(a)所示，使这些二 极管的通态压降之和等于或略大于驱动模块过流保护动作电压与IGBT 模块 的 通态饱和压降Uce 之差。 混合驱动模块与IGBT 模块过流保护的配合 上述用改变二极管的个数来调整过流保护动作点的方法，虽然简单实用，但 精度不高。这是因为每个二极管的通态压降为固定值，使得驱动模块与IGBT 模 块集电极c 之间的电压不能连续可调。在实际工作中，改进方法有两种： (1)、改变二极管的型号与个数相结合。例如，IGBT 的通态饱和压降为2.65V， 驱动模块过流保护临界动作电压值为7.84V 时，那么整个二极管上的 通态压降 之和应为7.84-2.65=5.19V，此时选用7 个硅二极管与1个锗二极管串联，其通 态压降之和为0.7×7+0.3×1=5.20V(硅管 视为0.7V，锗管视为0.3V)，则能较 好地实现配合 (2)、二极管与电阻相结合。由于二极管通态压降的差异性，上述改进方法 很难精确设定IGBT 模块过流保护的临界动作电压值 如果用电阻取代1～2 个二 极管，则可做到精确配合。 另外，由于同一桥臂上的两个IGBT 的控制信号重叠或开关器件本身延时过 长等原因，使上下两个IGBT 直通，桥臂短路，此时电流的上升率和浪涌冲击电 流都 很大，极易损坏IGBT 模块为此，还可以设置桥臂互锁保护，如图3 所示。 图中用两个与门对同一桥臂上的两个IGBT 模块T 的驱动信号进行互锁，使每个 IGBT 模块的工作状态都互为另一个IGBT 模块驱动信号可否通过的制约条件，只 有在一个IGBT 模块被确认关断后，另一个IGBT 模块才能导通，这样严 格防止 了臂桥短路引起过流情况的出现。 IGBT 模块桥臂直通短路保护 3、过压保护 IGBT 模块在由导通状态关断时，电流Ic 突然变小，由于电路中的杂散电感