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平面型(NPN)三极管制作工艺 N c SiO2 b 硼杂质扩散 e 磷杂质扩散 磷杂质扩散 磷杂质扩散 硼杂质扩散 硼杂质扩散 P N 　　在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。 　　合金型三极管制作工艺：在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(a)NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(b)PNP 型 1.3.2　三极管的放大作用 　　　　和载流子的运动 以 NPN 型三极管为例讨论 图1.3.4　三极管中的两个 PN 结 c N N P e b b e c 表面看 三极管若实现放大， 须从两方面来保证： 1.三极管内部结构 2.外部所加电源的极性 不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 1. 发射区高掺杂。 2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 三极管放大的外部条件： 外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态， 而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 1.3.2　三极管的放大作用 　　　　和载流子的运动 b e c Rc Rb 三极管的放大作用是通过内部载流子运动来实现的。 I E IB 　　1.发射区发射电子 发射结正偏，发射区发射电子越过发射结扩散到基区（IEn）,基区的多子空穴扩散到发射区（IEp，基区多子浓度低，空穴电流IEp可忽略）—形成发射极电流 IE 。 IE ＝IEn＋IEp≈ IEn 　　2.复合和扩散 电子到达基区，其中一少部分与基区空穴复合形成基极电流 IBn。大多数电子在基区继续扩散，拥挤到达集电结的一侧。 　 图 1.3.5 载流子的运动 三极管中内部载流子运动: + - b e c Rc Rb I E IB + - 　　3.集电极收集电子　 集电结反偏，收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 ICn。 　其能量来自外接电源 VCC 。 I C 　另外，集电区少子空穴在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO 图 1.3.5　三极管中载流子的运动 三极管中内部载流子运动: + - b e c e Rc Rb ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO≈ ICn IE = ICn + IBn≈ ICn + IB IB ≈ IBn IE = IC + IB ---共基直流电流放大系数 三极管中电流分配关系: ---共射直流电流放大系数 ---穿透电流，漏电流，很小 一般为几十~几百。 一组三极管电流关系典型数据 1. 任何一列电流关系符合 IE = IC + IB，IB IC IE, IC ? IE。 2. 当 IB 有微小变化时， IC变化较大。三极管电流放大作用。 3. 共射电流放大系数 4. 第一列数据ICBO ＝0. 001mA， 第二列数据ICEO = 0.01 mA 三极管中电流分配关系: IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA 0.001 0.01 0.56 1.14 1.74 2.33 2.91 IE/mA 0 0.01 0.57 1.16 1.77 2.37 2.96 - - 56 57 58 58 58 输出 回路 输入 回路 + UCE - 1.3.3　三极管的特性曲线 特性曲线是使用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。 IB UCE 图 1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路 IC VCC Rb VBB c e b Rc V ? + V ? + ?A ? + + ? mA 输